Фіксаваныя індуктыўнасці

MLG0603Q75NJT

MLG0603Q75NJT

частка акцыі: 130322

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 75nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 60mA,

MLG0603Q16NJT

MLG0603Q16NJT

частка акцыі: 131898

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 16nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 180mA,

MLF1005LR33KT000

MLF1005LR33KT000

частка акцыі: 132121

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 90mA,

MHQ0402P3N6BT000

MHQ0402P3N6BT000

частка акцыі: 8578

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.6nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MHQ0402P3N9BT000

MHQ0402P3N9BT000

частка акцыі: 8582

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MHQ0402P3N9CT000

MHQ0402P3N9CT000

частка акцыі: 8561

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLG0603Q2N1ST

MLG0603Q2N1ST

частка акцыі: 168597

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

MLF2012C101MT

MLF2012C101MT

частка акцыі: 130695

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2mA,

MLF1005LR39KT

MLF1005LR39KT

частка акцыі: 127563

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 50mA,

GLFR1608T220M-LRHF

GLFR1608T220M-LRHF

частка акцыі: 8762

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 200mA, Ток - насычэнне: 50mA,

MLF2012K560MT

MLF2012K560MT

частка акцыі: 129982

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 56µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4mA,

MHQ0402P4N1CT000

MHQ0402P4N1CT000

частка акцыі: 8529

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.1nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MHQ0402P4N6HT000

MHQ0402P4N6HT000

частка акцыі: 8556

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.6nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLG0603Q0N2CT

MLG0603Q0N2CT

частка акцыі: 184747

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.2nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLF2012E5R6MT

MLF2012E5R6MT

частка акцыі: 169540

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 5.6µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 15mA,

GLFR1608T330M-LRHF

GLFR1608T330M-LRHF

частка акцыі: 8762

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 120mA, Ток - насычэнне: 40mA,

MHQ0402P3N8ST000

MHQ0402P3N8ST000

частка акцыі: 8541

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.8nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLF1005L2R2KT000

MLF1005L2R2KT000

частка акцыі: 184232

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 15mA,

MLF1005L1R8KT

MLF1005L1R8KT

частка акцыі: 115484

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.8µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 20mA,

MLF2012DR27MT

MLF2012DR27MT

частка акцыі: 178896

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 270nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

MLF2012DR39MT

MLF2012DR39MT

частка акцыі: 117256

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLG0603Q39NJT

MLG0603Q39NJT

частка акцыі: 100767

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 39nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 80mA,

MLF1005LR22KT

MLF1005LR22KT

частка акцыі: 124576

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

MLF2012C270MT

MLF2012C270MT

частка акцыі: 134908

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 27µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5mA,

MLG0603Q3N1ST

MLG0603Q3N1ST

частка акцыі: 131340

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG0603Q3N5ST

MLG0603Q3N5ST

частка акцыі: 121260

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.5nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG0603Q2N9ST

MLG0603Q2N9ST

частка акцыі: 157977

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLF2012C220MT

MLF2012C220MT

частка акцыі: 119319

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5mA,

MLF2012A2R2MT

MLF2012A2R2MT

частка акцыі: 116937

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 50mA,

MHQ0402P4N7JT000

MHQ0402P4N7JT000

частка акцыі: 8538

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MHQ0402P5N6JT000

MHQ0402P5N6JT000

частка акцыі: 8544

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLG0603Q0N4CT

MLG0603Q0N4CT

частка акцыі: 122760

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.4nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG0603Q1N4ST

MLG0603Q1N4ST

частка акцыі: 102317

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

NLC565050T-6R8K-PF

NLC565050T-6R8K-PF

частка акцыі: 8657

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 810mA,

MHQ0402P3N7BT000

MHQ0402P3N7BT000

частка акцыі: 8507

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.7nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLF2012A1R0MT

MLF2012A1R0MT

частка акцыі: 174421

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 80mA,