Фіксаваныя індуктыўнасці

1AB139380011

1AB139380011

частка акцыі: 9104

Індуктыўнасць: 6.8µH,

54-0071-004

54-0071-004

частка акцыі: 9156

Індуктыўнасць: 3.3µH,

ADL3225VT-4R7M-TL000

ADL3225VT-4R7M-TL000

частка акцыі: 106138

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 720mA, Ток - насычэнне: 720mA,

ADL3225VT-100M-TL000

ADL3225VT-100M-TL000

частка акцыі: 106225

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 450mA, Ток - насычэнне: 450mA,

ADL3225V-470MT-TL000

ADL3225V-470MT-TL000

частка акцыі: 139512

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 500mA, Ток - насычэнне: 300mA,

CLF6045T-470M-H

CLF6045T-470M-H

частка акцыі: 152564

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A, Ток - насычэнне: 900mA,

CLF6045T-4R7N-H

CLF6045T-4R7N-H

частка акцыі: 152564

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 3.2A, Ток - насычэнне: 2.5A,

CLF6045T-101M-H

CLF6045T-101M-H

частка акцыі: 152569

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 640mA,

MLG1608B5N6DTD25

MLG1608B5N6DTD25

частка акцыі: 9805

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MHQ0402P11NHT000

MHQ0402P11NHT000

частка акцыі: 9876

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 11nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 160mA,

MLF1005LR68KT000

MLF1005LR68KT000

частка акцыі: 174369

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 40mA,

MLG0603Q1N4S

MLG0603Q1N4S

частка акцыі: 9848

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

TSL1112RA-101K1R4-PF

TSL1112RA-101K1R4-PF

частка акцыі: 9769

Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.4A, Ток - насычэнне: 1.6A,

MHQ0402P13NJT000

MHQ0402P13NJT000

частка акцыі: 9789

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 13nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 160mA,

VLP5614T-470MR35

VLP5614T-470MR35

частка акцыі: 9907

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 440mA, Ток - насычэнне: 350mA,

NLC565050T-4R7K-PF

NLC565050T-4R7K-PF

частка акцыі: 9801

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 950mA,

MLG0603Q3N7ST

MLG0603Q3N7ST

частка акцыі: 167570

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLZ2012DR22MT000

MLZ2012DR22MT000

частка акцыі: 196480

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 800mA,

MLG0603Q0N2C

MLG0603Q0N2C

частка акцыі: 9352

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.2nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

VLS252015T-6R8MR73

VLS252015T-6R8MR73

частка акцыі: 116399

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 730mA, Ток - насычэнне: 1A,

MLP2520P2R2S

MLP2520P2R2S

частка акцыі: 159309

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

CLF10040T-471M-H

CLF10040T-471M-H

частка акцыі: 109522

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 560mA, Ток - насычэнне: 440mA,

I25L02251S00

I25L02251S00

частка акцыі: 9033

MLG0603QR10JT

MLG0603QR10JT

частка акцыі: 124995

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 100nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 60mA,

VLS4012T-6R8M1R0

VLS4012T-6R8M1R0

частка акцыі: 135024

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1A,

VLP5040LT-3R3N

VLP5040LT-3R3N

частка акцыі: 9060

MLP2012V1R0TT

MLP2012V1R0TT

частка акцыі: 111578

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA,

MLP2520P4R7S

MLP2520P4R7S

частка акцыі: 151907

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

VLS252008ET-R68N

VLS252008ET-R68N

частка акцыі: 115816

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Metal, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±20%,

MLZ1608DR47MT000

MLZ1608DR47MT000

частка акцыі: 102639

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 500mA, Ток - насычэнне: 400mA,

MLZ2012DR47MT000

MLZ2012DR47MT000

частка акцыі: 105522

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 550mA,

MLZ1608DR10MT000

MLZ1608DR10MT000

частка акцыі: 119639

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 850mA, Ток - насычэнне: 700mA,

VLF3010AT-3R3MR87-LC

VLF3010AT-3R3MR87-LC

частка акцыі: 9101

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 870mA,

VLF3014AT-3R3M1R0-LC

VLF3014AT-3R3M1R0-LC

частка акцыі: 9105

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1.3A,

MLZ2012DR10MT000

MLZ2012DR10MT000

частка акцыі: 155071

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.15A, Ток - насычэнне: 1A,

VLF3010AT-1R5N1R2-1

VLF3010AT-1R5N1R2-1

частка акцыі: 9101

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 1.2A,