Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.7A,
Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%,
Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 360mA, Ток - насычэнне: 360mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 560nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 45mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 7.5nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 150mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 91nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 60mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 18µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 180mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 80mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.8µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 20mA,
Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 625mA, Ток - насычэнне: 170mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 820nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 150mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.2nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.1nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 50mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 820nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 35mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 82nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 60mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 24nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 150mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 120nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 140mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 43nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 80mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 50mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 180mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ceramic, Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.3nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 200mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 250mA,
Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.8nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,
