Фіксаваныя індуктыўнасці

MLG0603Q3N9S

MLG0603Q3N9S

частка акцыі: 7673

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG1608S1R0JTD25

MLG1608S1R0JTD25

частка акцыі: 8055

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 70mA,

MLG1608B6N8DTD25

MLG1608B6N8DTD25

частка акцыі: 8026

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG0603Q68NJ

MLG0603Q68NJ

частка акцыі: 7902

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 68nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 60mA,

VLS252012T-6R8MR66

VLS252012T-6R8MR66

частка акцыі: 157726

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 660mA, Ток - насычэнне: 990mA,

MLG1608B39NJTD25

MLG1608B39NJTD25

частка акцыі: 8031

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 39nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

TSL0709RA-1R5M4R3-PF

TSL0709RA-1R5M4R3-PF

частка акцыі: 7973

Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 4.3A, Ток - насычэнне: 5.4A,

MLG1608B2N7STD25

MLG1608B2N7STD25

частка акцыі: 7968

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

NL565050T-222J-PF

NL565050T-222J-PF

частка акцыі: 7811

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 55mA,

TSL1112RA-153JR12-PF

TSL1112RA-153JR12-PF

частка акцыі: 7761

Індуктыўнасць: 15mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 120mA, Ток - насычэнне: 130mA,

MLG1608B47NJTD25

MLG1608B47NJTD25

частка акцыі: 9802

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 47nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

MLG1608B10NJTD25

MLG1608B10NJTD25

частка акцыі: 8019

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

TSL1315RA-100K5R1-PF

TSL1315RA-100K5R1-PF

частка акцыі: 7820

Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 5.1A, Ток - насычэнне: 12A,

MLG1608B3N9STD25

MLG1608B3N9STD25

частка акцыі: 8037

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

GLFR2012T2R2M-LR

GLFR2012T2R2M-LR

частка акцыі: 7780

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 240mA,

CPL2510T1R0M

CPL2510T1R0M

частка акцыі: 9805

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.2A,

VLS252015T-3R3M1R0

VLS252015T-3R3M1R0

частка акцыі: 164697

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1.4A,

MLG1608B22NJTD25

MLG1608B22NJTD25

частка акцыі: 8001

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

MLF1005DR33KT

MLF1005DR33KT

частка акцыі: 7813

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 25mA,

VLS252012T-3R3MR99

VLS252012T-3R3MR99

частка акцыі: 130984

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1.4A,

VLS252010T-R68N

VLS252010T-R68N

частка акцыі: 158760

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 2A, Ток - насычэнне: 2.2A,

CLF6045T-331M-H

CLF6045T-331M-H

частка акцыі: 152649

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 440mA, Ток - насычэнне: 350mA,

MLG1608SR22JTD25

MLG1608SR22JTD25

частка акцыі: 7985

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

CLF6045T-471M-H

CLF6045T-471M-H

частка акцыі: 152625

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 370mA, Ток - насычэнне: 300mA,

MLF1005DR22KT

MLF1005DR22KT

частка акцыі: 9802

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 25mA,

TSL1112RA-680K1R6-PF

TSL1112RA-680K1R6-PF

частка акцыі: 7838

Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.6A, Ток - насычэнне: 1.9A,

SLF7030T-101MR35-PF

SLF7030T-101MR35-PF

частка акцыі: 130788

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 350mA,

MLG1608B4N7STD25

MLG1608B4N7STD25

частка акцыі: 7965

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608B12NJTD25

MLG1608B12NJTD25

частка акцыі: 7978

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

TSL1112RA-2R2M6R7-PF

TSL1112RA-2R2M6R7-PF

частка акцыі: 7778

Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 6.7A, Ток - насычэнне: 10A,

TSL0808RA-101KR80-PF

TSL0808RA-101KR80-PF

частка акцыі: 7812

Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 800mA, Ток - насычэнне: 800mA,

MLG0603Q1N9S

MLG0603Q1N9S

частка акцыі: 7885

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

SL2125-102K1R3-PF

SL2125-102K1R3-PF

частка акцыі: 10050

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.3A, Ток - насычэнне: 1.7A,

GLCR2012T1R0M-HC

GLCR2012T1R0M-HC

частка акцыі: 7782

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 490mA,

CPL2512T4R7M

CPL2512T4R7M

частка акцыі: 7800

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA, Ток - насычэнне: 650mA,

MLG0603Q2N9S

MLG0603Q2N9S

частка акцыі: 9841

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.9nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,