Фіксаваныя індуктыўнасці

MLG0603Q13NJ

MLG0603Q13NJ

частка акцыі: 6163

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 13nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 180mA,

MLG1608SR82JT000

MLG1608SR82JT000

частка акцыі: 6203

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 820nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 70mA,

CLF7045T-331M-H

CLF7045T-331M-H

частка акцыі: 141335

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 490mA, Ток - насычэнне: 420mA,

CLF7045T-3R3N-H

CLF7045T-3R3N-H

частка акцыі: 141355

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 5A, Ток - насычэнне: 4.1A,

TSL0709RA-331KR36-PF

TSL0709RA-331KR36-PF

частка акцыі: 6198

Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 360mA, Ток - насычэнне: 360mA,

VLC6045T-6R8M

VLC6045T-6R8M

частка акцыі: 6258

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3A, Ток - насычэнне: 3A,

MLG0603Q62NJ

MLG0603Q62NJ

частка акцыі: 6215

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 62nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 60mA,

TSL0709RA-330K1R0-PF

TSL0709RA-330K1R0-PF

частка акцыі: 6176

Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1.1A,

MLG0603Q56NJ

MLG0603Q56NJ

частка акцыі: 6175

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 56nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 60mA,

CLF10040T-1R0N-H

CLF10040T-1R0N-H

частка акцыі: 109562

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 12A, Ток - насычэнне: 6.3A,

MLG0603Q39NJ

MLG0603Q39NJ

частка акцыі: 6214

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 39nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 80mA,

MLG1608SR47JT000

MLG1608SR47JT000

частка акцыі: 6176

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

VLC5045T-2R2N

VLC5045T-2R2N

частка акцыі: 6216

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 5A, Ток - насычэнне: 5A,

TSL0709RA-680KR73-PF

TSL0709RA-680KR73-PF

частка акцыі: 6231

Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 730mA, Ток - насычэнне: 790mA,

MLG0603Q51NJ

MLG0603Q51NJ

частка акцыі: 9666

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 51nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 60mA,

MLG0603Q43NJ

MLG0603Q43NJ

частка акцыі: 6225

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 43nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 80mA,

CLF7045T-150M-H

CLF7045T-150M-H

частка акцыі: 141327

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.3A, Ток - насычэнне: 2.1A,

MLG0603Q2N6S

MLG0603Q2N6S

частка акцыі: 6152

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.6nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,

MLG0603Q3N4S

MLG0603Q3N4S

частка акцыі: 9677

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG0603Q16NJ

MLG0603Q16NJ

частка акцыі: 9661

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 16nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 180mA,

VLC6045T-470M

VLC6045T-470M

частка акцыі: 6189

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.2A,

MLG0603Q11NJ

MLG0603Q11NJ

частка акцыі: 6190

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 11nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

CLF10040T-331M-H

CLF10040T-331M-H

частка акцыі: 109605

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 530mA,

CPL2512T100M

CPL2512T100M

частка акцыі: 5486

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 300mA, Ток - насычэнне: 300mA,

VLS4012T-2R2M1R4

VLS4012T-2R2M1R4

частка акцыі: 190064

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.4A, Ток - насычэнне: 1.7A,

CPL2512TR68M

CPL2512TR68M

частка акцыі: 9568

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.4A, Ток - насычэнне: 1.6A,

FLF3215T-470M

FLF3215T-470M

частка акцыі: 5506

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 430mA, Ток - насычэнне: 280mA,

VLS3012T-1R0N2R2

VLS3012T-1R0N2R2

частка акцыі: 163360

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 2.2A, Ток - насычэнне: 2.2A,

CPL2510T2R2M

CPL2510T2R2M

частка акцыі: 5532

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA, Ток - насычэнне: 800mA,

CPL2512T1R5M

CPL2512T1R5M

частка акцыі: 5522

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1.2A,

CPL2512T2R2M

CPL2512T2R2M

частка акцыі: 9582

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 900mA,

VLS3010T-100MR65

VLS3010T-100MR65

частка акцыі: 141904

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA, Ток - насычэнне: 650mA,

VLS3015T-220MR45

VLS3015T-220MR45

частка акцыі: 193825

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 450mA, Ток - насычэнне: 450mA,

CPL2512TR22M

CPL2512TR22M

частка акцыі: 5476

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2A, Ток - насычэнне: 2.2A,

NLC565050T-391K-PF

NLC565050T-391K-PF

частка акцыі: 5615

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 390µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 130mA,

FLF3215T-220M

FLF3215T-220M

частка акцыі: 5488

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 600mA, Ток - насычэнне: 450mA,