Фіксаваныя індуктыўнасці

MLZ1608E4R7M

MLZ1608E4R7M

частка акцыі: 168980

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 60mA,

NLFC201614T-4R7M-PF

NLFC201614T-4R7M-PF

частка акцыі: 3930

Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 150mA,

SLF7030T-4R7M1R6-PF

SLF7030T-4R7M1R6-PF

частка акцыі: 130852

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.6A,

MLG1608SR12JT000

MLG1608SR12JT000

частка акцыі: 4207

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 120nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

GLF2012T470K

GLF2012T470K

частка акцыі: 4324

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 170mA, Ток - насычэнне: 50mA,

MLG0603Q0N8C

MLG0603Q0N8C

частка акцыі: 4283

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.8nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG0603Q2N4S

MLG0603Q2N4S

частка акцыі: 4277

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.4nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,

SLF7028T-100M1R1-PF

SLF7028T-100M1R1-PF

частка акцыі: 183069

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

GLF2012T1R0M

GLF2012T1R0M

частка акцыі: 4340

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 850mA, Ток - насычэнне: 275mA,

MLG0603Q2N7S

MLG0603Q2N7S

частка акцыі: 4270

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 450mA,

MLG0603Q1N2S

MLG0603Q1N2S

частка акцыі: 4283

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

MLG0603Q1N5S

MLG0603Q1N5S

частка акцыі: 4278

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

MLG0603Q10NJ

MLG0603Q10NJ

частка акцыі: 4326

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 10nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLG0603Q1N1S

MLG0603Q1N1S

частка акцыі: 9500

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

MLG0603Q4N7S

MLG0603Q4N7S

частка акцыі: 4313

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

GLF2012T220K

GLF2012T220K

частка акцыі: 4271

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 220mA, Ток - насычэнне: 75mA,

GLF1608T1R0M

GLF1608T1R0M

частка акцыі: 4285

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 400mA, Ток - насычэнне: 125mA,

MLG0603Q1N0S

MLG0603Q1N0S

частка акцыі: 9484

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG0603Q8N2J

MLG0603Q8N2J

частка акцыі: 9513

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 220mA,

MLF1005L1R2K

MLF1005L1R2K

частка акцыі: 180325

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.2µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 35mA,

MLG1608B1N0ST000

MLG1608B1N0ST000

частка акцыі: 3246

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608B22NJT000

MLG1608B22NJT000

частка акцыі: 9362

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 22nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

MLG1608B18NJT000

MLG1608B18NJT000

частка акцыі: 3212

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 18nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608B12NJT000

MLG1608B12NJT000

частка акцыі: 3236

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608B5N6DT000

MLG1608B5N6DT000

частка акцыі: 3238

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608B39NJT000

MLG1608B39NJT000

частка акцыі: 9383

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 39nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

MLG1608B15NJT000

MLG1608B15NJT000

частка акцыі: 3185

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608B47NJT000

MLG1608B47NJT000

частка акцыі: 3192

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 47nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

MLG0603Q2N8S

MLG0603Q2N8S

частка акцыі: 3373

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.8nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG1608B8N2DT000

MLG1608B8N2DT000

частка акцыі: 3272

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.2nH, Талерантнасць: ±0.5nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608B68NJT000

MLG1608B68NJT000

частка акцыі: 169156

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 68nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG1608B56NJT000

MLG1608B56NJT000

частка акцыі: 3230

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 56nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 400mA,

MLG1608B4N7ST000

MLG1608B4N7ST000

частка акцыі: 3210

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

CPL2512TR15M

CPL2512TR15M

частка акцыі: 3545

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 150nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.2A, Ток - насычэнне: 2.4A,

MLG1608B33NJT000

MLG1608B33NJT000

частка акцыі: 3260

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 33nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

MLG1608B1N5ST000

MLG1608B1N5ST000

частка акцыі: 3225

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,