Фіксаваныя індуктыўнасці

MLG0603Q0N6C

MLG0603Q0N6C

частка акцыі: 4297

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.6nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG0603Q5N6S

MLG0603Q5N6S

частка акцыі: 4292

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 5.6nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 250mA,

GLF2012T4R7M

GLF2012T4R7M

частка акцыі: 4290

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 450mA, Ток - насычэнне: 120mA,

MLZ1608A1R0M

MLZ1608A1R0M

частка акцыі: 150638

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 600mA, Ток - насычэнне: 190mA,

GLF2012T2R2M

GLF2012T2R2M

частка акцыі: 4288

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA, Ток - насычэнне: 210mA,

MLG0603Q4N3S

MLG0603Q4N3S

частка акцыі: 4238

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG0603Q0N7C

MLG0603Q0N7C

частка акцыі: 4326

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLZ2012E100M

MLZ2012E100M

частка акцыі: 133484

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 60mA,

GLF2012T100K

GLF2012T100K

частка акцыі: 4339

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 360mA, Ток - насычэнне: 100mA,

GLF2012T101K

GLF2012T101K

частка акцыі: 4246

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 110mA, Ток - насычэнне: 30mA,

SLF7030T-3R3M1R8-PF

SLF7030T-3R3M1R8-PF

частка акцыі: 130808

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.8A,

SLF7030T-470MR57-PF

SLF7030T-470MR57-PF

частка акцыі: 130823

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 570mA,

SLF7030T-100M1R3-PF

SLF7030T-100M1R3-PF

частка акцыі: 130838

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A,

SLF7028T-330MR65-PF

SLF7028T-330MR65-PF

частка акцыі: 183073

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA,

MLG0603Q1N3S

MLG0603Q1N3S

частка акцыі: 4290

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 550mA,

SLF7028T-6R8M1R3-PF

SLF7028T-6R8M1R3-PF

частка акцыі: 183083

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A,

MLG0603Q1N6S

MLG0603Q1N6S

частка акцыі: 4245

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.6nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

GLF1608T2R2M

GLF1608T2R2M

частка акцыі: 4295

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 275mA, Ток - насычэнне: 75mA,

SLF7030T-6R8M1R5-PF

SLF7030T-6R8M1R5-PF

частка акцыі: 130839

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A,

MLG0603Q6N2S

MLG0603Q6N2S

частка акцыі: 4301

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 250mA,

MLG0603Q2N2S

MLG0603Q2N2S

частка акцыі: 4262

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

MLG0603Q6N8J

MLG0603Q6N8J

частка акцыі: 4242

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.8nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

MLG0603Q12NJ

MLG0603Q12NJ

частка акцыі: 4274

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 180mA,

SLF7028T-220MR75-PF

SLF7028T-220MR75-PF

частка акцыі: 183140

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

MLG0603Q0N9C

MLG0603Q0N9C

частка акцыі: 4291

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.9nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

SLF7030T-330MR65-PF

SLF7030T-330MR65-PF

частка акцыі: 130787

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA,

NLFC201614T-2R2M-PF

NLFC201614T-2R2M-PF

частка акцыі: 3941

Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 240mA,

MLG0603Q3N0S

MLG0603Q3N0S

частка акцыі: 4301

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG0603Q3N6S

MLG0603Q3N6S

частка акцыі: 9438

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.6nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,

NLFC201614T-100K-PF

NLFC201614T-100K-PF

частка акцыі: 3959

Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 120mA,

NLFC201614T-1R0M-PF

NLFC201614T-1R0M-PF

частка акцыі: 3939

Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

MLG0603Q1N8S

MLG0603Q1N8S

частка акцыі: 4294

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 500mA,

SLF7030T-220MR86-PF

SLF7030T-220MR86-PF

частка акцыі: 130854

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 860mA,

GLF1608T100M

GLF1608T100M

частка акцыі: 4257

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 180mA, Ток - насычэнне: 50mA,

GLF1608T220M

GLF1608T220M

частка акцыі: 4286

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 100mA, Ток - насычэнне: 35mA,

MLG0603Q9N1J

MLG0603Q9N1J

частка акцыі: 4324

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 9.1nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,