Фіксаваныя індуктыўнасці

NL453232T-331J

NL453232T-331J

частка акцыі: 2949

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 85mA,

SLF7032T-100M1R4-2

SLF7032T-100M1R4-2

частка акцыі: 2981

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.4A,

NLC453232T-100K

NLC453232T-100K

частка акцыі: 2958

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 550mA,

SLF7045T-470MR75

SLF7045T-470MR75

частка акцыі: 9365

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 920mA, Ток - насычэнне: 750mA,

SLF10145T-152MR22

SLF10145T-152MR22

частка акцыі: 3002

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5mH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 260mA, Ток - насычэнне: 220mA,

SLF7032T-150M1R1-2

SLF7032T-150M1R1-2

частка акцыі: 3010

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,

VLP5610T-2R7M1R0

VLP5610T-2R7M1R0

частка акцыі: 121857

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.05A, Ток - насычэнне: 1.26A,

NL453232T-102J

NL453232T-102J

частка акцыі: 2972

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 30mA,

NLC453232T-680K

NLC453232T-680K

частка акцыі: 2950

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 220mA,

SLF6028T-220MR77

SLF6028T-220MR77

частка акцыі: 2968

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A, Ток - насычэнне: 770mA,

SLF6028T-150M1R0

SLF6028T-150M1R0

частка акцыі: 3031

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.4A, Ток - насычэнне: 1A,

SLF10145T-330M1R6

SLF10145T-330M1R6

частка акцыі: 2983

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.7A, Ток - насычэнне: 1.6A,

SLF10145T-470M1R4

SLF10145T-470M1R4

частка акцыі: 2979

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 1.4A,

SLF7032T-102MR13-2

SLF7032T-102MR13-2

частка акцыі: 3002

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 130mA,

VLS4012T-220MR57

VLS4012T-220MR57

частка акцыі: 151204

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 570mA, Ток - насычэнне: 630mA,

VLS3015T-470MR31

VLS3015T-470MR31

частка акцыі: 152455

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 310mA, Ток - насычэнне: 310mA,

SLF7032T-681MR16-2

SLF7032T-681MR16-2

частка акцыі: 2471

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 160mA,

GLF201208T220M

GLF201208T220M

частка акцыі: 2267

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 150mA, Ток - насычэнне: 80mA,

VLS3012T-220MR49

VLS3012T-220MR49

частка акцыі: 137450

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 490mA, Ток - насычэнне: 490mA,

VLS252010T-2R2M

VLS252010T-2R2M

частка акцыі: 191225

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A, Ток - насычэнне: 1.2A,

VLS252015T-2R2M1R2

VLS252015T-2R2M1R2

частка акцыі: 199020

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A, Ток - насычэнне: 1.7A,

MLG1608SR27JT000

MLG1608SR27JT000

частка акцыі: 100281

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 270nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

MLF1005DR10KT

MLF1005DR10KT

частка акцыі: 1720

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 25mA,

CPL2508T150M

CPL2508T150M

частка акцыі: 1695

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 230mA, Ток - насычэнне: 230mA,

VLS3010T-2R2M1R3

VLS3010T-2R2M1R3

частка акцыі: 141179

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.7A, Ток - насычэнне: 1.2A,

MLG1608B1N8STD25

MLG1608B1N8STD25

частка акцыі: 9257

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.8nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608B1N5STD25

MLG1608B1N5STD25

частка акцыі: 1610

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.5nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLG1608B68NJTD25

MLG1608B68NJTD25

частка акцыі: 171871

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 68nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

CPL2508T1R5M

CPL2508T1R5M

частка акцыі: 1714

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA, Ток - насычэнне: 800mA,

MLG1608B1N2STD25

MLG1608B1N2STD25

частка акцыі: 1662

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

CPL2508T220M

CPL2508T220M

частка акцыі: 1684

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 180mA, Ток - насычэнне: 180mA,

MLF1005DR15KT

MLF1005DR15KT

частка акцыі: 1775

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 150nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 25mA,

VLS3010T-4R7MR80

VLS3010T-4R7MR80

частка акцыі: 109938

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA, Ток - насычэнне: 800mA,

NLHV25T-R47J-PF

NLHV25T-R47J-PF

частка акцыі: 1167

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 350mA,

MLG0603Q0N4C

MLG0603Q0N4C

частка акцыі: 1325

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 0.4nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

MLF1005LR10K

MLF1005LR10K

частка акцыі: 197621

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 150mA,