Фіксаваныя індуктыўнасці

NLC565050T-1R5K-PF

NLC565050T-1R5K-PF

частка акцыі: 5192

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.6A,

SL1215-102KR51-PF

SL1215-102KR51-PF

частка акцыі: 5261

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 510mA, Ток - насычэнне: 1.1A,

TSL0808RA-100K2R6-PF

TSL0808RA-100K2R6-PF

частка акцыі: 5209

Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 2.6A, Ток - насычэнне: 2.6A,

VLS3015T-4R7MR99

VLS3015T-4R7MR99

частка акцыі: 183848

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 990mA, Ток - насычэнне: 990mA,

VLS3012T-2R2M1R5

VLS3012T-2R2M1R5

частка акцыі: 196119

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A, Ток - насычэнне: 1.5A,

TSL1315RA-331K1R4-PF

TSL1315RA-331K1R4-PF

частка акцыі: 5260

Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.4A, Ток - насычэнне: 2.1A,

NLC565050T-1R8K-PF

NLC565050T-1R8K-PF

частка акцыі: 5118

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1.8µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.4A,

TSL1112RA-331KR82-PF

TSL1112RA-331KR82-PF

частка акцыі: 5313

Індуктыўнасць: 330µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 820mA, Ток - насычэнне: 880mA,

GLFR2012T1R0M-LR

GLFR2012T1R0M-LR

частка акцыі: 9554

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.15A, Ток - насычэнне: 300mA,

NLHV25T-R56J-PF

NLHV25T-R56J-PF

частка акцыі: 5229

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 560nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 325mA,

MLG1608B1N0STD25

MLG1608B1N0STD25

частка акцыі: 192334

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 1nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

TSL1315RA-152JR68-PF

TSL1315RA-152JR68-PF

частка акцыі: 5200

Індуктыўнасць: 1.5mH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 680mA, Ток - насычэнне: 1A,

TSL1112RA-220K2R9-PF

TSL1112RA-220K2R9-PF

частка акцыі: 5305

Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 2.9A, Ток - насычэнне: 3.4A,

SL1720-221K1R8-PF

SL1720-221K1R8-PF

частка акцыі: 5356

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 220µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1.8A, Ток - насычэнне: 2.6A,

GLFR2012T470M-LR

GLFR2012T470M-LR

частка акцыі: 5190

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 230mA, Ток - насычэнне: 50mA,

MLF1005AR56KT

MLF1005AR56KT

частка акцыі: 5137

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 560nH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 10mA,

TSL1112RA-100M3R7-PF

TSL1112RA-100M3R7-PF

частка акцыі: 5216

Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.7A, Ток - насычэнне: 5A,

NLC565050T-681K-PF

NLC565050T-681K-PF

частка акцыі: 5191

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 680µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

TSL0808RA-680K1R0-PF

TSL0808RA-680K1R0-PF

частка акцыі: 5219

Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1A,

TSL1315RA-220K4R2-PF

TSL1315RA-220K4R2-PF

частка акцыі: 5183

Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 4.2A, Ток - насычэнне: 8.2A,

TSL1112RA-3R3M5R9-PF

TSL1112RA-3R3M5R9-PF

частка акцыі: 5302

Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 5.9A, Ток - насычэнне: 8.8A,

MLF1005A2R2KT

MLF1005A2R2KT

частка акцыі: 5235

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 10mA,

SL1923-153KR26-PF

SL1923-153KR26-PF

частка акцыі: 5292

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 15mH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 260mA, Ток - насычэнне: 380mA,

TSL1315RA-470K3R4-PF

TSL1315RA-470K3R4-PF

частка акцыі: 5266

Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 3.4A, Ток - насычэнне: 5.7A,

TSL0808RA-6R8M3R1-PF

TSL0808RA-6R8M3R1-PF

частка акцыі: 5225

Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 3.1A, Ток - насычэнне: 3.2A,

TSL1315RA-330K3R7-PF

TSL1315RA-330K3R7-PF

частка акцыі: 5219

Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 3.7A, Ток - насычэнне: 6.8A,

CPL2512T6R8M

CPL2512T6R8M

частка акцыі: 4850

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 450mA, Ток - насычэнне: 450mA,

MLZ2012E4R7M

MLZ2012E4R7M

частка акцыі: 128737

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 80mA,

MLZ2012A1R0M

MLZ2012A1R0M

частка акцыі: 119522

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 280mA,

MLG1608B2N2STD25

MLG1608B2N2STD25

частка акцыі: 4603

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.2nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 600mA,

NLFC201614T-220K-PF

NLFC201614T-220K-PF

частка акцыі: 3901

Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 75mA,

CLF12555T-2R2N-H

CLF12555T-2R2N-H

частка акцыі: 76615

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 6.1A, Ток - насычэнне: 13.1A,

SLF7028T-470MR54-PF

SLF7028T-470MR54-PF

частка акцыі: 183118

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 540mA,

SLF7028T-4R7M1R5-PF

SLF7028T-4R7M1R5-PF

частка акцыі: 183145

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A,

MLG0603Q15NJ

MLG0603Q15NJ

частка акцыі: 9466

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 15nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 180mA,

MLG0603Q3N3S

MLG0603Q3N3S

частка акцыі: 4310

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 3.3nH, Талерантнасць: ±0.3nH, Бягучы рэйтынг: 300mA,