Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад

  • Дом
  •  
  • Оптаізалятары - транзістар, фотаэлектрычны выхад
MCT9001SD
ON Semiconductor

MCT9001SD

частка акцыі: 166555

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2731SD
ON Semiconductor

HCPL2731SD

частка акцыі: 71327

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 5µs,

Ліст з жаданняў
MOC207R2M
ON Semiconductor

MOC207R2M

частка акцыі: 119923

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 200% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
FOD817A
ON Semiconductor

FOD817A

частка акцыі: 155884

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODM121R2
ON Semiconductor

FODM121R2

частка акцыі: 111133

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOCD217M
ON Semiconductor

MOCD217M

частка акцыі: 72520

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
HMHA2801
ON Semiconductor

HMHA2801

частка акцыі: 107724

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD817D3SD
ON Semiconductor

FOD817D3SD

частка акцыі: 103678

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD817DSD
ON Semiconductor

FOD817DSD

частка акцыі: 177625

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD817S
ON Semiconductor

FOD817S

частка акцыі: 130861

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD817CSD
ON Semiconductor

FOD817CSD

частка акцыі: 157218

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODM1007R2
ON Semiconductor

FODM1007R2

частка акцыі: 168723

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 5.7µs, 8.5µs,

Ліст з жаданняў
MOC206M
ON Semiconductor

MOC206M

частка акцыі: 104692

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 63% @ 10mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 125% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 7.5µs, 5.7µs, Час нарастання / падзення (тып): 3.2µs, 4.7µs,

Ліст з жаданняў
FOD817BSD
ON Semiconductor

FOD817BSD

частка акцыі: 175775

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD814A
ON Semiconductor

FOD814A

частка акцыі: 135662

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
H11F1M
ON Semiconductor

H11F1M

частка акцыі: 22217

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 7500Vpk, Час уключэння / выключэння (тып): 45µs, 45µs (Max),

Ліст з жаданняў
FOD817A3SD
ON Semiconductor

FOD817A3SD

частка акцыі: 190923

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 160% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD814A300W
ON Semiconductor

FOD814A300W

частка акцыі: 122082

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODM217D
ON Semiconductor

FODM217D

частка акцыі: 110988

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 3µs, 3µs, Час нарастання / падзення (тып): 2µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODM8801CV
ON Semiconductor

FODM8801CV

частка акцыі: 50560

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 6µs, 6µs, Час нарастання / падзення (тып): 5µs, 5.5µs,

Ліст з жаданняў
MCT62
ON Semiconductor

MCT62

частка акцыі: 70489

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 5mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў
FOD817B300
ON Semiconductor

FOD817B300

частка акцыі: 130793

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 130% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 260% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD817C
ON Semiconductor

FOD817C

частка акцыі: 155832

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMHA2801R2
ON Semiconductor

HMHA2801R2

частка акцыі: 133268

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 80% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MOCD223R2M
ON Semiconductor

MOCD223R2M

частка акцыі: 156532

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1mA, Час уключэння / выключэння (тып): 10µs, 125µs, Час нарастання / падзення (тып): 8µs, 110µs,

Ліст з жаданняў
FOD814A300
ON Semiconductor

FOD814A300

частка акцыі: 126342

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 150% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD817DS
ON Semiconductor

FOD817DS

частка акцыі: 130768

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 300% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FODM124R2
ON Semiconductor

FODM124R2

частка акцыі: 199494

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 100% @ 1mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 1200% @ 1mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HCPL2731
ON Semiconductor

HCPL2731

частка акцыі: 31077

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 2500Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 500% @ 1.6mA, Час уключэння / выключэння (тып): 300ns, 5µs,

Ліст з жаданняў
FODM2705
ON Semiconductor

FODM2705

частка акцыі: 109303

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 300% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
HMHAA280R2
ON Semiconductor

HMHAA280R2

частка акцыі: 123872

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 3750Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 50% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 600% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 3µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
FOD817CS
ON Semiconductor

FOD817CS

частка акцыі: 130802

Колькасць каналаў: 1, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 200% @ 5mA, Каэфіцыент бягучай перадачы (макс.): 400% @ 5mA, Час нарастання / падзення (тып): 4µs, 3µs,

Ліст з жаданняў
MCT6
ON Semiconductor

MCT6

частка акцыі: 80472

Колькасць каналаў: 2, Напружанне - ізаляцыя: 5000Vrms, Каэфіцыент бягучага пераносу (мін.): 20% @ 10mA, Час уключэння / выключэння (тып): 2.4µs, 2.4µs,

Ліст з жаданняў