Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
FFSH1665A
ON Semiconductor

FFSH1665A

частка акцыі: 2653

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 23A (DC), Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
FFSH30120A
ON Semiconductor

FFSH30120A

частка акцыі: 2398

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 46A (DC), Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
NGTD9R120F2WP
ON Semiconductor

NGTD9R120F2WP

частка акцыі: 160395

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.6V @ 15A,

Ліст з жаданняў
NHPV08S600G
ON Semiconductor

NHPV08S600G

частка акцыі: 117921

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.2V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
FFSH2065BDN-F085
ON Semiconductor

FFSH2065BDN-F085

частка акцыі: 2965

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 10A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
MBRS3201PT3G
ON Semiconductor

MBRS3201PT3G

частка акцыі: 2341

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
RHRG5060
ON Semiconductor

RHRG5060

частка акцыі: 15262

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.1V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
FFSH40120ADN-F085
ON Semiconductor

FFSH40120ADN-F085

частка акцыі: 2903

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A (DC), Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
FFSH3065ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH3065ADN-F155

частка акцыі: 2901

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 23A (DC), Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
FFH50US60S
ON Semiconductor

FFH50US60S

частка акцыі: 15694

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.54V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 124ns,

Ліст з жаданняў
NHPV15S600G
ON Semiconductor

NHPV15S600G

частка акцыі: 83704

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.2V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
FFSH4065A
ON Semiconductor

FFSH4065A

частка акцыі: 2923

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 48A (DC), Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
MBRB1045G
ON Semiconductor

MBRB1045G

частка акцыі: 66049

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
ISL9R1560G2-F085
ON Semiconductor

ISL9R1560G2-F085

частка акцыі: 2937

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 40ns,

Ліст з жаданняў
NGTD8R65F2WP
ON Semiconductor

NGTD8R65F2WP

частка акцыі: 172240

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.8V @ 30A,

Ліст з жаданняў
ISL9R18120G2
ON Semiconductor

ISL9R18120G2

частка акцыі: 20459

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.3V @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 70ns,

Ліст з жаданняў
MBRB2515LG
ON Semiconductor

MBRB2515LG

частка акцыі: 39030

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MR854G
ON Semiconductor

MR854G

частка акцыі: 183154

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 300ns,

Ліст з жаданняў
MBR2515LG
ON Semiconductor

MBR2515LG

частка акцыі: 31575

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 25A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NGTD17R120F2WP
ON Semiconductor

NGTD17R120F2WP

частка акцыі: 69954

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 35A,

Ліст з жаданняў
FFSH3065B-F085
ON Semiconductor

FFSH3065B-F085

частка акцыі: 2933

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 37A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 30A, Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
MBR1645G
ON Semiconductor

MBR1645G

частка акцыі: 67876

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 16A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 630mV @ 16A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FFH50US60S-F085
ON Semiconductor

FFH50US60S-F085

частка акцыі: 2719

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.69V @ 50A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 163ns,

Ліст з жаданняў
RHRG3060
ON Semiconductor

RHRG3060

частка акцыі: 25614

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.1V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 45ns,

Ліст з жаданняў
MUR110G
ON Semiconductor

MUR110G

частка акцыі: 166509

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 875mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
MBR1050
ON Semiconductor

MBR1050

частка акцыі: 145448

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR360G
ON Semiconductor

MBR360G

частка акцыі: 146488

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MSRF1560G
ON Semiconductor

MSRF1560G

частка акцыі: 88275

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.8V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 45ns,

Ліст з жаданняў
FFPF10UP20STU
ON Semiconductor

FFPF10UP20STU

частка акцыі: 77903

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
RD2006FR-H
ON Semiconductor

RD2006FR-H

частка акцыі: 75387

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.75V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
MUR4100EG
ON Semiconductor

MUR4100EG

частка акцыі: 107778

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.85V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 100ns,

Ліст з жаданняў
FFSH2065A
ON Semiconductor

FFSH2065A

частка акцыі: 2860

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 650V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A (DC), Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
MUR1515G
ON Semiconductor

MUR1515G

частка акцыі: 64298

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 35ns,

Ліст з жаданняў
FFSH40120A
ON Semiconductor

FFSH40120A

частка акцыі: 2977

Дыёдны тып: Silicon Carbide Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 61A (DC), Хуткасць: No Recovery Time > 500mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 0ns,

Ліст з жаданняў
MBRS3100PT3G
ON Semiconductor

MBRS3100PT3G

частка акцыі: 2327

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
ISL9R460PF2
ON Semiconductor

ISL9R460PF2

частка акцыі: 70462

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.4V @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 22ns,

Ліст з жаданняў