Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
NRVB2045EMFST3G
ON Semiconductor

NRVB2045EMFST3G

частка акцыі: 126441

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB860MFST3G
ON Semiconductor

NRVB860MFST3G

частка акцыі: 148816

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVTS12120EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS12120EMFST3G

частка акцыі: 148989

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 830mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR440MFST1G
ON Semiconductor

MBR440MFST1G

частка акцыі: 175331

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR460MFST3G
ON Semiconductor

MBR460MFST3G

частка акцыі: 186301

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 740mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB8H100MFSWFT3G
ON Semiconductor

NRVB8H100MFSWFT3G

частка акцыі: 177193

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB5100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB5100MFST3G

частка акцыі: 146930

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVTS1045EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS1045EMFST3G

частка акцыі: 108981

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR860MFST3G
ON Semiconductor

MBR860MFST3G

частка акцыі: 194600

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB8H100MFSWFT1G
ON Semiconductor

NRVB8H100MFSWFT1G

частка акцыі: 180069

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NTS1545MFST1G
ON Semiconductor

NTS1545MFST1G

частка акцыі: 143654

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVTS12100EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS12100EMFST3G

частка акцыі: 188227

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB830MFST1G
ON Semiconductor

NRVB830MFST1G

частка акцыі: 176738

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR5H100MFST3G
ON Semiconductor

MBR5H100MFST3G

частка акцыі: 172015

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR3100RLG
ON Semiconductor

MBR3100RLG

частка акцыі: 141633

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVTS1245EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS1245EMFST1G

частка акцыі: 182400

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR1240MFST3G
ON Semiconductor

MBR1240MFST3G

частка акцыі: 186855

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB30H100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB30H100MFST3G

частка акцыі: 125427

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2045MFST1G
ON Semiconductor

MBR2045MFST1G

частка акцыі: 166063

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB1045MFST3G
ON Semiconductor

NRVB1045MFST3G

частка акцыі: 153379

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NTS1045MFST3G
ON Semiconductor

NTS1045MFST3G

частка акцыі: 186363

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR830MFST3G
ON Semiconductor

MBR830MFST3G

частка акцыі: 168778

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR8H100MFST3G
ON Semiconductor

MBR8H100MFST3G

частка акцыі: 169137

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NTS10120MFST3G
ON Semiconductor

NTS10120MFST3G

частка акцыі: 173561

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVTS1045EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS1045EMFST1G

частка акцыі: 184646

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NTS12100MFST3G
ON Semiconductor

NTS12100MFST3G

частка акцыі: 117646

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 730mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR1045MFST3G
ON Semiconductor

MBR1045MFST3G

частка акцыі: 161056

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVTS10120MFST3G
ON Semiconductor

NRVTS10120MFST3G

частка акцыі: 101101

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB2045EMFST1G
ON Semiconductor

NRVB2045EMFST1G

частка акцыі: 112369

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
FFA40UP35STU
ON Semiconductor

FFA40UP35STU

частка акцыі: 23196

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 350V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 55ns,

Ліст з жаданняў
NRVB8H100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB8H100MFST3G

частка акцыі: 180766

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NTS1045EMFST3G
ON Semiconductor

NTS1045EMFST3G

частка акцыі: 175811

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR2045MFST3G
ON Semiconductor

MBR2045MFST3G

частка акцыі: 186886

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB10100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB10100MFST3G

частка акцыі: 190017

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NRVB540MFST3G
ON Semiconductor

NRVB540MFST3G

частка акцыі: 125778

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
NTS1045EMFST1G
ON Semiconductor

NTS1045EMFST1G

частка акцыі: 109705

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў