Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
MM5Z33V
ON Semiconductor

MM5Z33V

частка акцыі: 191712

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 23.2V,

Ліст з жаданняў
MMFZ18T3G
ON Semiconductor

MMFZ18T3G

частка акцыі: 5300

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MM3Z27VT1
ON Semiconductor

MM3Z27VT1

частка акцыі: 3559

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5262ET1
ON Semiconductor

MMSZ5262ET1

частка акцыі: 5276

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 39V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5227B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5227B_D87Z

частка акцыі: 5349

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 15µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMFZ5V1T1G
ON Semiconductor

MMFZ5V1T1G

частка акцыі: 5364

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MMSZ8V2T3G
ON Semiconductor

MMSZ8V2T3G

частка акцыі: 5352

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MZP4751ARLG
ON Semiconductor

MZP4751ARLG

частка акцыі: 5338

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5244B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5244B_D87Z

частка акцыі: 3567

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5236BT3G
ON Semiconductor

MMSZ5236BT3G

частка акцыі: 5339

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5239BLT3
ON Semiconductor

MMBZ5239BLT3

частка акцыі: 5272

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ4704ET1
ON Semiconductor

MMSZ4704ET1

частка акцыі: 3558

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ8V2A
ON Semiconductor

FLZ8V2A

частка акцыі: 5191

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.7V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5252ELT3G
ON Semiconductor

MMBZ5252ELT3G

частка акцыі: 5273

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ5V1B
ON Semiconductor

FLZ5V1B

частка акцыі: 5196

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 190nA @ 1.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
LZD2_DHLZ004A
ON Semiconductor

LZD2_DHLZ004A

частка акцыі: 3539

Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MMFZ47T3G
ON Semiconductor

MMFZ47T3G

частка акцыі: 5327

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MMSZ5261BT3
ON Semiconductor

MMSZ5261BT3

частка акцыі: 5294

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 105 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 36V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ3V3B
ON Semiconductor

FLZ3V3B

частка акцыі: 5205

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.4V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 14µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ2V7T1
ON Semiconductor

MMSZ2V7T1

частка акцыі: 5281

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMFZ3V6T3G
ON Semiconductor

MMFZ3V6T3G

частка акцыі: 5274

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MMSZ33T1
ON Semiconductor

MMSZ33T1

частка акцыі: 5262

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ10VB
ON Semiconductor

FLZ10VB

частка акцыі: 5169

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.7V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 110nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MZP4749ARLG
ON Semiconductor

MZP4749ARLG

частка акцыі: 5379

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5240BLT3G
ON Semiconductor

MMBZ5240BLT3G

частка акцыі: 3589

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ3V9T3G
ON Semiconductor

MMSZ3V9T3G

частка акцыі: 5350

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM5Z6V8
ON Semiconductor

MM5Z6V8

частка акцыі: 188282

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V,

Ліст з жаданняў
MM3Z24VT1
ON Semiconductor

MM3Z24VT1

частка акцыі: 5297

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ6V8B
ON Semiconductor

FLZ6V8B

частка акцыі: 5202

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.7V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1.1µA @ 3.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5256BT3
ON Semiconductor

MMSZ5256BT3

частка акцыі: 5357

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 49 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ3V3T3
ON Semiconductor

MMSZ3V3T3

частка акцыі: 5356

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ3V0B
ON Semiconductor

FLZ3V0B

частка акцыі: 5213

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.1V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 35µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
FLZ20VC
ON Semiconductor

FLZ20VC

частка акцыі: 5190

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19.8V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 133nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMFZ10T3G
ON Semiconductor

MMFZ10T3G

частка акцыі: 5260

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
FLZ27VC
ON Semiconductor

FLZ27VC

частка акцыі: 5177

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 26.3V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 38 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 133nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z43VT1
ON Semiconductor

MM3Z43VT1

частка акцыі: 5273

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 30.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў