Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
MMFZ3V9T3G
ON Semiconductor

MMFZ3V9T3G

частка акцыі: 5277

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MMBZ5267BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5267BLT1G

частка акцыі: 5262

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 270 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5250B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5250B_D87Z

частка акцыі: 5372

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5240BT3
ON Semiconductor

MMSZ5240BT3

частка акцыі: 5357

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5252B_D87Z
ON Semiconductor

MMBZ5252B_D87Z

частка акцыі: 5381

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5264BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5264BLT1

частка акцыі: 5303

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 60V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 46V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ27VD
ON Semiconductor

FLZ27VD

частка акцыі: 5128

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 38 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 133nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ30T1
ON Semiconductor

MMSZ30T1

частка акцыі: 5332

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5243B
ON Semiconductor

MMBZ5243B

частка акцыі: 189240

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ15T3G
ON Semiconductor

MMSZ15T3G

частка акцыі: 5300

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5247BLT3
ON Semiconductor

MMBZ5247BLT3

частка акцыі: 5289

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ5V6A
ON Semiconductor

FLZ5V6A

частка акцыі: 5169

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.4V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 750nA @ 2.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
FLZ33VA
ON Semiconductor

FLZ33VA

частка акцыі: 5207

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30.5V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 133nA @ 25V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z36VT1
ON Semiconductor

MM3Z36VT1

частка акцыі: 5316

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 25.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ18VB
ON Semiconductor

FLZ18VB

частка акцыі: 5137

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17.3V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19.4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 133nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
FLZ30VC
ON Semiconductor

FLZ30VC

частка акцыі: 5142

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 29.1V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 46 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 133nA @ 23V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5226B
ON Semiconductor

MMBZ5226B

частка акцыі: 5419

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ4713T1
ON Semiconductor

MMSZ4713T1

частка акцыі: 3559

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMFZ2V4T3G
ON Semiconductor

MMFZ2V4T3G

частка акцыі: 5294

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MMBZ5246B
ON Semiconductor

MMBZ5246B

частка акцыі: 5429

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ7V5C
ON Semiconductor

FLZ7V5C

частка акцыі: 5156

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300nA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
FLZ10VC
ON Semiconductor

FLZ10VC

частка акцыі: 5149

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10.1V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 110nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5224BT1
ON Semiconductor

MMSZ5224BT1

частка акцыі: 5316

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 75µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ11VC
ON Semiconductor

FLZ11VC

частка акцыі: 5120

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 133nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ15ET1G
ON Semiconductor

MMSZ15ET1G

частка акцыі: 3588

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
FLZ18VA
ON Semiconductor

FLZ18VA

частка акцыі: 5167

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16.7V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19.4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 133nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMFZ2V7T1G
ON Semiconductor

MMFZ2V7T1G

частка акцыі: 5291

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MZP4746ARL
ON Semiconductor

MZP4746ARL

частка акцыі: 5303

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ4695T1
ON Semiconductor

MMSZ4695T1

частка акцыі: 5267

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 6.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMFZ2V4T1G
ON Semiconductor

MMFZ2V4T1G

частка акцыі: 5339

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MMBZ5227ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5227ELT1

частка акцыі: 5258

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 15µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ7V5T1
ON Semiconductor

MMSZ7V5T1

частка акцыі: 5284

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMFZ5V1T3G
ON Semiconductor

MMFZ5V1T3G

частка акцыі: 3542

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Магутнасць - Макс: 500mW,

Ліст з жаданняў
MMBZ5239BLT3G
ON Semiconductor

MMBZ5239BLT3G

частка акцыі: 5308

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5245B
ON Semiconductor

MMSZ5245B

частка акцыі: 3558

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM5Z15V
ON Semiconductor

MM5Z15V

частка акцыі: 120545

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V,

Ліст з жаданняў