Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
SZMM5Z9V1T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z9V1T1G

частка акцыі: 190631

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5256BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5256BT1G

частка акцыі: 150472

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 49 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5251BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5251BLT1G

частка акцыі: 186895

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 29 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 17V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM5Z4V3ST1G
ON Semiconductor

MM5Z4V3ST1G

частка акцыі: 7625

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ4706T1G
ON Semiconductor

MMSZ4706T1G

частка акцыі: 129187

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5246BT3
ON Semiconductor

MMSZ5246BT3

частка акцыі: 7630

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ3V6T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ3V6T1G

частка акцыі: 170882

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5255BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5255BT1G

частка акцыі: 156285

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 28V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 44 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5242BLT3
ON Semiconductor

MMBZ5242BLT3

частка акцыі: 7658

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM5Z2V4T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z2V4T1G

частка акцыі: 197865

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±8.3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5244ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5244ET1G

частка акцыі: 158381

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMBZ5240ELT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5240ELT1G

частка акцыі: 184182

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMBZ5257BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5257BLT1G

частка акцыі: 139269

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 58 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5252ET1G
ON Semiconductor

MMSZ5252ET1G

частка акцыі: 108196

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5247BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5247BT1G

частка акцыі: 123026

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 17V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM5Z9V1ST1G
ON Semiconductor

SZMM5Z9V1ST1G

частка акцыі: 162982

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ3V3T1G
ON Semiconductor

MMSZ3V3T1G

частка акцыі: 181856

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ4683T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4683T1G

частка акцыі: 147829

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 800nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 100mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z3V3C
ON Semiconductor

MM3Z3V3C

частка акцыі: 164522

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 89 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 4.5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5267BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5267BT1G

частка акцыі: 115324

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 270 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM5Z24VT1G
ON Semiconductor

SZMM5Z24VT1G

частка акцыі: 112888

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5258CT1G
ON Semiconductor

MMSZ5258CT1G

частка акцыі: 141524

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMSZ5245ET1G
ON Semiconductor

MMSZ5245ET1G

частка акцыі: 141497

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5238BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5238BT1G

частка акцыі: 121633

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5235ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5235ELT1G

частка акцыі: 7552

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MM3Z24VC
ON Semiconductor

MM3Z24VC

частка акцыі: 124999

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 65 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 45nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ15T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ15T1G

частка акцыі: 167958

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5226BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5226BT1G

частка акцыі: 147460

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5228ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5228ELT1G

частка акцыі: 7491

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM5Z3V6T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z3V6T1G

частка акцыі: 121602

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5.6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ4709T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4709T1G

частка акцыі: 181078

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ4691T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4691T1G

частка акцыі: 164302

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5252ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5252ET1G

частка акцыі: 170067

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMM5Z4V7T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z4V7T1G

частка акцыі: 179732

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±6.4%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
MMBZ5231ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5231ELT1G

частка акцыі: 108999

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў
SZMMSZ5244BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5244BT1G

частка акцыі: 127410

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

Ліст з жаданняў