Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

MMBZ5236BLT1

частка акцыі: 3836

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ5262BT1

частка акцыі: 8114

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 39V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MM5Z3V9ST1G

частка акцыі: 8176

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ8V2T1

частка акцыі: 8098

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMBZ5244BLT1

частка акцыі: 8153

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ27ET1G

частка акцыі: 8199

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ5268BT1

частка акцыі: 8099

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 82V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 330 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 62V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MM5Z12VT1

частка акцыі: 8236

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MM5Z3V9T1

частка акцыі: 8207

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

RY85_MBZ5240B

частка акцыі: 8103

MMSZ4V7T1

частка акцыі: 8082

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMBZ5251BLT1

частка акцыі: 8077

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 29 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 17V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ5V6T1

частка акцыі: 8132

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ4692T1

частка акцыі: 8146

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 5.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMBZ5255ELT1

частка акцыі: 8221

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 28V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 44 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MM5Z3V6ST1G

частка акцыі: 8212

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±3%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ6V8ET1

частка акцыі: 8136

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMBZ5234ELT1G

частка акцыі: 8187

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMBZ5229BLT1

частка акцыі: 8142

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ5242ET1

частка акцыі: 8192

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ4690T1

частка акцыі: 8124

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ5234ET1

частка акцыі: 8161

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MM5Z20VT1

частка акцыі: 8219

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ4709ET1

частка акцыі: 8204

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10nA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ4701T1

частка акцыі: 8078

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 14V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMBZ5240ELT1G

частка акцыі: 8232

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 225mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MM5Z11VT1

частка акцыі: 8160

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ5228B

частка акцыі: 104936

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

SZ1SMB5931BT3G

частка акцыі: 10790

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

SZ1SMB5917BT3G

частка акцыі: 130507

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

SZ1SMB5952BT3G

частка акцыі: 139176

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 130V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 98.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

SZ1SMB5925BT3G

частка акцыі: 194424

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

SZ1SMB5948BT3G

частка акцыі: 131035

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 91V, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 69.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

SZ1SMB5915BT3G

частка акцыі: 138858

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

SZ1SMB5926BT3G

частка акцыі: 138888

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

S1Z1SMB5919BT3G

частка акцыі: 115537