Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
1PMT5929BT1
ON Semiconductor

1PMT5929BT1

частка акцыі: 8165

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5925BT1
ON Semiconductor

1PMT5925BT1

частка акцыі: 8155

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5930BT1
ON Semiconductor

1PMT5930BT1

частка акцыі: 3859

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5931BT1
ON Semiconductor

1PMT5931BT1

частка акцыі: 8189

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5927BT1
ON Semiconductor

1PMT5927BT1

частка акцыі: 8128

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5933BT1
ON Semiconductor

1PMT5933BT1

частка акцыі: 8205

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 16.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5936BT1
ON Semiconductor

1PMT5936BT1

частка акцыі: 8196

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5941BT1
ON Semiconductor

1PMT5941BT1

частка акцыі: 8176

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 67 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 35.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5939BT1
ON Semiconductor

1PMT5939BT1

частка акцыі: 8124

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5942BRL
ON Semiconductor

1N5942BRL

частка акцыі: 8156

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5922BT3
ON Semiconductor

1PMT5922BT3

частка акцыі: 8130

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5920BT3
ON Semiconductor

1PMT5920BT3

частка акцыі: 8168

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4758A
ON Semiconductor

1N4758A

частка акцыі: 169785

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Ліст з жаданняў
1N5231B_T50A
ON Semiconductor

1N5231B_T50A

частка акцыі: 8170

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5937BT3
ON Semiconductor

1SMB5937BT3

частка акцыі: 8190

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 25.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5930BT3
ON Semiconductor

1SMB5930BT3

частка акцыі: 8160

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5932BT3
ON Semiconductor

1SMB5932BT3

частка акцыі: 8186

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 15.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5931BT3
ON Semiconductor

1SMB5931BT3

частка акцыі: 8151

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5938BT3
ON Semiconductor

1SMB5938BT3

частка акцыі: 8140

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 38 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 27.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5941BT3
ON Semiconductor

1SMB5941BT3

частка акцыі: 8148

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 67 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 35.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5939BT3
ON Semiconductor

1SMB5939BT3

частка акцыі: 8163

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5956BT3
ON Semiconductor

1SMB5956BT3

частка акцыі: 8183

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 200V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 152V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5929BT3
ON Semiconductor

1SMB5929BT3

частка акцыі: 8106

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5942BT3
ON Semiconductor

1SMB5942BT3

частка акцыі: 3822

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5928BT3
ON Semiconductor

1SMB5928BT3

частка акцыі: 8156

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5928BT3
ON Semiconductor

1SMA5928BT3

частка акцыі: 8168

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5929BT3
ON Semiconductor

1SMA5929BT3

частка акцыі: 3861

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 11.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5925BT3
ON Semiconductor

1SMA5925BT3

частка акцыі: 8128

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.5µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5927BT3
ON Semiconductor

1SMA5927BT3

частка акцыі: 8150

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 6.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5922BT3
ON Semiconductor

1SMA5922BT3

частка акцыі: 8121

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.5µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5923BT3
ON Semiconductor

1SMA5923BT3

частка акцыі: 8109

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.5µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5920BT3
ON Semiconductor

1SMA5920BT3

частка акцыі: 8167

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.5µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5935BT3
ON Semiconductor

1SMA5935BT3

частка акцыі: 8167

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5919BT3
ON Semiconductor

1SMA5919BT3

частка акцыі: 8137

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 2 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.5µA @ 3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N5956BRL
ON Semiconductor

1N5956BRL

частка акцыі: 8150

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 200V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 152V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5918BT3
ON Semiconductor

1SMA5918BT3

частка акцыі: 8129

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2.5µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў