Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
1N5384BRLG
ON Semiconductor

1N5384BRLG

частка акцыі: 169197

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 160V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 122V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N5387BRLG
ON Semiconductor

1N5387BRLG

частка акцыі: 175924

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 190V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 450 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 144V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1SMB5936BT3
ON Semiconductor

1SMB5936BT3

частка акцыі: 9827

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 28 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMB5935BT3
ON Semiconductor

1SMB5935BT3

частка акцыі: 9769

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 550mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5931BT3
ON Semiconductor

1SMA5931BT3

частка акцыі: 9495

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 12 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 13.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1PMT5935BT1
ON Semiconductor

1PMT5935BT1

частка акцыі: 9459

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 3.2W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 20.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1SMA5934BT3
ON Semiconductor

1SMA5934BT3

частка акцыі: 9491

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 19 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 18.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
1N4758A-T50A
ON Semiconductor

1N4758A-T50A

частка акцыі: 195

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Ліст з жаданняў
1N4753A-T50A
ON Semiconductor

1N4753A-T50A

частка акцыі: 187

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 36V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 27.4V,

Ліст з жаданняў
1N4733A-T50R
ON Semiconductor

1N4733A-T50R

частка акцыі: 248

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V,

Ліст з жаданняў
1N5338BRL
ON Semiconductor

1N5338BRL

частка акцыі: 8872

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 1.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

Ліст з жаданняў
1N4758A_T50R
ON Semiconductor

1N4758A_T50R

частка акцыі: 8641

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 110 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 42.6V,

Ліст з жаданняў
1N4757A_T50A
ON Semiconductor

1N4757A_T50A

частка акцыі: 8686

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V,

Ліст з жаданняў
1N4756A_T50A
ON Semiconductor

1N4756A_T50A

частка акцыі: 8710

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 35.8V,

Ліст з жаданняў
1N4754A_T50R
ON Semiconductor

1N4754A_T50R

частка акцыі: 8354

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 29.7V,

Ліст з жаданняў
1N4752A_T50R
ON Semiconductor

1N4752A_T50R

частка акцыі: 8337

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 25.1V,

Ліст з жаданняў
1N4751A_T50R
ON Semiconductor

1N4751A_T50R

частка акцыі: 8307

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Ліст з жаданняў
1N4751A_S00Z
ON Semiconductor

1N4751A_S00Z

частка акцыі: 3866

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 22.8V,

Ліст з жаданняў
1N4750A_T50R
ON Semiconductor

1N4750A_T50R

частка акцыі: 8344

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Ліст з жаданняў
1N4750A_S00Z
ON Semiconductor

1N4750A_S00Z

частка акцыі: 8252

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 20.6V,

Ліст з жаданняў
1N4749A_S00Z
ON Semiconductor

1N4749A_S00Z

частка акцыі: 8275

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Ліст з жаданняў
1N4748A_T50R
ON Semiconductor

1N4748A_T50R

частка акцыі: 3837

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 16.7V,

Ліст з жаданняў
1N4749A_NT50A
ON Semiconductor

1N4749A_NT50A

частка акцыі: 3834

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 18.2V,

Ліст з жаданняў
1N4747A_T50R
ON Semiconductor

1N4747A_T50R

частка акцыі: 8322

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Ліст з жаданняў
1N4748A_S00Z
ON Semiconductor

1N4748A_S00Z

частка акцыі: 3884

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 16.7V,

Ліст з жаданняў
1N4746A_T50R
ON Semiconductor

1N4746A_T50R

частка акцыі: 8271

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Ліст з жаданняў
1N4747A_S00Z
ON Semiconductor

1N4747A_S00Z

частка акцыі: 8239

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 15.2V,

Ліст з жаданняў
1N4746A_S00Z
ON Semiconductor

1N4746A_S00Z

частка акцыі: 8318

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 13.7V,

Ліст з жаданняў
1N4745A_T50R
ON Semiconductor

1N4745A_T50R

частка акцыі: 8259

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Ліст з жаданняў
1N4745A_S00Z
ON Semiconductor

1N4745A_S00Z

частка акцыі: 3847

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V,

Ліст з жаданняў
1N4744A_T26R
ON Semiconductor

1N4744A_T26R

частка акцыі: 8314

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Ліст з жаданняў
1N4744A_S00Z
ON Semiconductor

1N4744A_S00Z

частка акцыі: 8282

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Ліст з жаданняў
1N4744A_T26A
ON Semiconductor

1N4744A_T26A

частка акцыі: 8226

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Ліст з жаданняў
1N4744A_NT50A
ON Semiconductor

1N4744A_NT50A

частка акцыі: 8295

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 14 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 11.4V,

Ліст з жаданняў
1N4741A_T50R
ON Semiconductor

1N4741A_T50R

частка акцыі: 8283

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 8.4V,

Ліст з жаданняў
1N4742A_S00Z
ON Semiconductor

1N4742A_S00Z

частка акцыі: 8287

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 9.1V,

Ліст з жаданняў