Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Памяць

NM93C66M8
ON Semiconductor

NM93C66M8

частка акцыі: 2562

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (256 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
FM93C66EN
ON Semiconductor

FM93C66EN

частка акцыі: 7974

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (256 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM93C66EN
ON Semiconductor

NM93C66EN

частка акцыі: 2484

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (256 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
FM27C512Q120
ON Semiconductor

FM27C512Q120

частка акцыі: 7790

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 512Kb (64K x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C020QE120
ON Semiconductor

NM27C020QE120

частка акцыі: 3163

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 2Mb (256K x 8),

Ліст з жаданняў
NM95C12N
ON Semiconductor

NM95C12N

частка акцыі: 3047

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM27LC512V200
ON Semiconductor

NM27LC512V200

частка акцыі: 2093

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 512Kb (64K x 8),

Ліст з жаданняў
FM93C46M8
ON Semiconductor

FM93C46M8

частка акцыі: 7919

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM27C010N150
ON Semiconductor

NM27C010N150

частка акцыі: 3062

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 1Mb (128K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93CS06EN
ON Semiconductor

NM93CS06EN

частка акцыі: 2570

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
FM93C46LM8
ON Semiconductor

FM93C46LM8

частка акцыі: 7893

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 250kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
NM93C56EM8
ON Semiconductor

NM93C56EM8

частка акцыі: 2381

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (128 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM27C040Q120
ON Semiconductor

NM27C040Q120

частка акцыі: 1905

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 4Mb (512K x 8),

Ліст з жаданняў
NM24C02EN
ON Semiconductor

NM24C02EN

частка акцыі: 1433

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM93C06M8
ON Semiconductor

NM93C06M8

частка акцыі: 1374

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM93CS46N
ON Semiconductor

NM93CS46N

частка акцыі: 6157

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM27C512Q120
ON Semiconductor

NM27C512Q120

частка акцыі: 1256

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 512Kb (64K x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C010Q150
ON Semiconductor

NM27C010Q150

частка акцыі: 1259

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 1Mb (128K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93C06EN
ON Semiconductor

NM93C06EN

частка акцыі: 6139

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM24C02LM8
ON Semiconductor

NM24C02LM8

частка акцыі: 1545

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
NM27C256QE200
ON Semiconductor

NM27C256QE200

частка акцыі: 1259

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 256Kb (32K x 8),

Ліст з жаданняў
NM24C03EM8
ON Semiconductor

NM24C03EM8

частка акцыі: 1518

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM24C02M8
ON Semiconductor

NM24C02M8

частка акцыі: 1562

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
CAT24C64YI-GT3JN
ON Semiconductor

CAT24C64YI-GT3JN

частка акцыі: 172507

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
NMC27C64Q200
ON Semiconductor

NMC27C64Q200

частка акцыі: 1435

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 64Kb (8K x 8),

Ліст з жаданняў
NMC27C64Q150
ON Semiconductor

NMC27C64Q150

частка акцыі: 1185

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 64Kb (8K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93C46EN
ON Semiconductor

NM93C46EN

частка акцыі: 1315

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM27C256Q200
ON Semiconductor

NM27C256Q200

частка акцыі: 1248

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 256Kb (32K x 8),

Ліст з жаданняў
NMC27C32BQ200
ON Semiconductor

NMC27C32BQ200

частка акцыі: 1422

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 32Kb (4K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93C46M8
ON Semiconductor

NM93C46M8

частка акцыі: 1368

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM27C512Q200
ON Semiconductor

NM27C512Q200

частка акцыі: 1292

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 512Kb (64K x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C512Q150
ON Semiconductor

NM27C512Q150

частка акцыі: 1251

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 512Kb (64K x 8),

Ліст з жаданняў
NMC27C64N200
ON Semiconductor

NMC27C64N200

частка акцыі: 1191

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 64Kb (8K x 8),

Ліст з жаданняў
NM24C02LEM8
ON Semiconductor

NM24C02LEM8

частка акцыі: 6212

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
NMC27C64QE200
ON Semiconductor

NMC27C64QE200

частка акцыі: 1468

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 64Kb (8K x 8),

Ліст з жаданняў
NM24C02N
ON Semiconductor

NM24C02N

частка акцыі: 1541

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў