Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Памяць

FM93CS56M8
ON Semiconductor

FM93CS56M8

частка акцыі: 8071

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (128 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM27C010T150
ON Semiconductor

NM27C010T150

частка акцыі: 1897

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 1Mb (128K x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C010N120
ON Semiconductor

NM27C010N120

частка акцыі: 9676

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 1Mb (128K x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C256VE200
ON Semiconductor

NM27C256VE200

частка акцыі: 3284

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 256Kb (32K x 8),

Ліст з жаданняў
FM93C06N
ON Semiconductor

FM93C06N

частка акцыі: 9989

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM27C040V120
ON Semiconductor

NM27C040V120

частка акцыі: 1891

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 4Mb (512K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93CS06M
ON Semiconductor

NM93CS06M

частка акцыі: 2646

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM93C46LZM8
ON Semiconductor

NM93C46LZM8

частка акцыі: 2418

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 250kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
NM93CS06LM8
ON Semiconductor

NM93CS06LM8

частка акцыі: 2561

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 250kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
FM27C256V120
ON Semiconductor

FM27C256V120

частка акцыі: 9824

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 256Kb (32K x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C256N150
ON Semiconductor

NM27C256N150

частка акцыі: 1984

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 256Kb (32K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93C46LN
ON Semiconductor

NM93C46LN

частка акцыі: 2323

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 250kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
NM93C56LZN
ON Semiconductor

NM93C56LZN

частка акцыі: 2468

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (128 x 16), Часавая частата: 250kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
NMC87C257V150
ON Semiconductor

NMC87C257V150

частка акцыі: 3050

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 256Mb (32M x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C256V120
ON Semiconductor

NM27C256V120

частка акцыі: 2034

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 256Kb (32K x 8),

Ліст з жаданняў
FM93C46EM8
ON Semiconductor

FM93C46EM8

частка акцыі: 7852

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
FM93C06EN
ON Semiconductor

FM93C06EN

частка акцыі: 7827

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM25C04M8
ON Semiconductor

NM25C04M8

частка акцыі: 1844

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
NM93C46M8X
ON Semiconductor

NM93C46M8X

частка акцыі: 3162

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM24C08LN
ON Semiconductor

NM24C08LN

частка акцыі: 1773

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
NM93C06EM8
ON Semiconductor

NM93C06EM8

частка акцыі: 2204

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM24C04LEM8
ON Semiconductor

NM24C04LEM8

частка акцыі: 1642

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
FM27C512Q90
ON Semiconductor

FM27C512Q90

частка акцыі: 9471

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 512Kb (64K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93CS56M8
ON Semiconductor

NM93CS56M8

частка акцыі: 2914

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (128 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
FM93CS56LM8
ON Semiconductor

FM93CS56LM8

частка акцыі: 7978

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (128 x 16), Часавая частата: 250kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
NM93CS06EM8
ON Semiconductor

NM93CS06EM8

частка акцыі: 2605

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
FM27C512Q150
ON Semiconductor

FM27C512Q150

частка акцыі: 9777

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - UV, Памер памяці: 512Kb (64K x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C256V150
ON Semiconductor

NM27C256V150

частка акцыі: 2057

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 256Kb (32K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93C06LN
ON Semiconductor

NM93C06LN

частка акцыі: 2219

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 250kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў
NM27C010T200
ON Semiconductor

NM27C010T200

частка акцыі: 1803

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 1Mb (128K x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C020V120
ON Semiconductor

NM27C020V120

частка акцыі: 3240

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 2Mb (256K x 8),

Ліст з жаданняў
NM27C256V90
ON Semiconductor

NM27C256V90

частка акцыі: 3307

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 256Kb (32K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93CS06M8
ON Semiconductor

NM93CS06M8

частка акцыі: 2629

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM27C010T90
ON Semiconductor

NM27C010T90

частка акцыі: 1884

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EPROM, Тэхналогія: EPROM - OTP, Памер памяці: 1Mb (128K x 8),

Ліст з жаданняў
NM93C56EM
ON Semiconductor

NM93C56EM

частка акцыі: 2436

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (128 x 16), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў
NM93CS06LEN
ON Semiconductor

NM93CS06LEN

частка акцыі: 2608

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 256b (16 x 16), Часавая частата: 250kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 15ms,

Ліст з жаданняў