Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

TVS - Дыёды

1.5KE62ARL4
ON Semiconductor

1.5KE62ARL4

частка акцыі: 2615

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 53V, Напружанне - прабой (мін.): 58.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 85V,

Ліст з жаданняў
1.5KE56AG
ON Semiconductor

1.5KE56AG

частка акцыі: 2608

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 47.8V, Напружанне - прабой (мін.): 53.2V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 77V,

Ліст з жаданняў
1.5KE51ARL4
ON Semiconductor

1.5KE51ARL4

частка акцыі: 2657

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 43.6V, Напружанне - прабой (мін.): 48.5V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 70.1V,

Ліст з жаданняў
1.5KE47ARL4
ON Semiconductor

1.5KE47ARL4

частка акцыі: 2668

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 40.2V, Напружанне - прабой (мін.): 44.7V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 64.8V,

Ліст з жаданняў
1.5KE43ARL4
ON Semiconductor

1.5KE43ARL4

частка акцыі: 2563

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 36.8V, Напружанне - прабой (мін.): 40.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 59.3V,

Ліст з жаданняў
1.5KE33ARL4
ON Semiconductor

1.5KE33ARL4

частка акцыі: 2574

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 28.2V, Напружанне - прабой (мін.): 31.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 45.7V,

Ліст з жаданняў
1.5KE30ARL4
ON Semiconductor

1.5KE30ARL4

частка акцыі: 6326

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 25.6V, Напружанне - прабой (мін.): 28.5V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 41.4V,

Ліст з жаданняў
1.5KE27ARL4
ON Semiconductor

1.5KE27ARL4

частка акцыі: 2575

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 23.1V, Напружанне - прабой (мін.): 25.7V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 37.5V,

Ліст з жаданняў
1.5KE22ARL4G
ON Semiconductor

1.5KE22ARL4G

частка акцыі: 2546

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 18.8V, Напружанне - прабой (мін.): 20.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 30.6V,

Ліст з жаданняў
1.5KE22ARL4
ON Semiconductor

1.5KE22ARL4

частка акцыі: 2594

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 18.8V, Напружанне - прабой (мін.): 20.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 30.6V,

Ліст з жаданняў
1.5KE22AG
ON Semiconductor

1.5KE22AG

частка акцыі: 2555

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 18.8V, Напружанне - прабой (мін.): 20.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 30.6V,

Ліст з жаданняў
1.5KE15ARL4
ON Semiconductor

1.5KE15ARL4

частка акцыі: 2523

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 12.8V, Напружанне - прабой (мін.): 14.3V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 21.2V,

Ліст з жаданняў
1.5KE13ARL4
ON Semiconductor

1.5KE13ARL4

частка акцыі: 6274

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 11.1V, Напружанне - прабой (мін.): 12.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 18.2V,

Ліст з жаданняў
1.5KE12ARL4
ON Semiconductor

1.5KE12ARL4

частка акцыі: 2503

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 10.2V, Напружанне - прабой (мін.): 11.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 16.7V,

Ліст з жаданняў
1.5KE12AG
ON Semiconductor

1.5KE12AG

частка акцыі: 2536

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 10.2V, Напружанне - прабой (мін.): 11.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 16.7V,

Ліст з жаданняў
1.5KE11AG
ON Semiconductor

1.5KE11AG

частка акцыі: 2500

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 9.4V, Напружанне - прабой (мін.): 10.5V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15.6V,

Ліст з жаданняў
1.5KE10ARL4
ON Semiconductor

1.5KE10ARL4

частка акцыі: 2543

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 8.55V, Напружанне - прабой (мін.): 9.5V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 14.5V,

Ліст з жаданняў
1.5KE10AG
ON Semiconductor

1.5KE10AG

частка акцыі: 2515

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 8.55V, Напружанне - прабой (мін.): 9.5V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 14.5V,

Ліст з жаданняў
1SMC43AT3
ON Semiconductor

1SMC43AT3

частка акцыі: 2263

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 43V, Напружанне - прабой (мін.): 47.8V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 69.4V,

Ліст з жаданняў
1SMA9.0AT3
ON Semiconductor

1SMA9.0AT3

частка акцыі: 2270

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 9V, Напружанне - прабой (мін.): 10V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15.4V,

Ліст з жаданняў
1.5KE24AG
ON Semiconductor

1.5KE24AG

частка акцыі: 2330

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 20.5V, Напружанне - прабой (мін.): 22.8V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 33.2V,

Ліст з жаданняў
1PMT12AT1
ON Semiconductor

1PMT12AT1

частка акцыі: 2243

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 12V, Напружанне - прабой (мін.): 13.3V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 19.9V,

Ліст з жаданняў
1V5KE9V1CA
ON Semiconductor

1V5KE9V1CA

частка акцыі: 556

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 7.78V, Напружанне - прабой (мін.): 8.65V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 13.4V,

Ліст з жаданняў
1V5KE9V1A
ON Semiconductor

1V5KE9V1A

частка акцыі: 473

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 7.78V, Напружанне - прабой (мін.): 8.65V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 13.4V,

Ліст з жаданняў
1V5KE8V2A
ON Semiconductor

1V5KE8V2A

частка акцыі: 529

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 7.02V, Напружанне - прабой (мін.): 7.79V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 12.1V,

Ліст з жаданняў
1V5KE82A
ON Semiconductor

1V5KE82A

частка акцыі: 481

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 70.1V, Напружанне - прабой (мін.): 77.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 113V,

Ліст з жаданняў
1V5KE56A
ON Semiconductor

1V5KE56A

частка акцыі: 461

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 47.8V, Напружанне - прабой (мін.): 53.2V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 77V,

Ліст з жаданняў
1V5KE180CA
ON Semiconductor

1V5KE180CA

частка акцыі: 504

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 154V, Напружанне - прабой (мін.): 171V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 246V,

Ліст з жаданняў
1V5KE180A
ON Semiconductor

1V5KE180A

частка акцыі: 500

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 154V, Напружанне - прабой (мін.): 171V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 246V,

Ліст з жаданняў
1V5KE13CA
ON Semiconductor

1V5KE13CA

частка акцыі: 514

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 11.1V, Напружанне - прабой (мін.): 12.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 18.2V,

Ліст з жаданняў
1V5KE13A
ON Semiconductor

1V5KE13A

частка акцыі: 450

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 11.1V, Напружанне - прабой (мін.): 12.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 18.2V,

Ліст з жаданняў
1V5KE11A
ON Semiconductor

1V5KE11A

частка акцыі: 454

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 9.4V, Напружанне - прабой (мін.): 10.5V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15.6V,

Ліст з жаданняў
1.5KE100ARL4G
ON Semiconductor

1.5KE100ARL4G

частка акцыі: 427

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 85.5V, Напружанне - прабой (мін.): 95V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 137V,

Ліст з жаданняў
1SMF16BT1G
ON Semiconductor

1SMF16BT1G

частка акцыі: 412

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 16V, Напружанне - прабой (мін.): 16.7V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 26V,

Ліст з жаданняў
1PMT7.0AT1G
ON Semiconductor

1PMT7.0AT1G

частка акцыі: 336

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 7V, Напружанне - прабой (мін.): 7.78V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 12V,

Ліст з жаданняў
1PMT30AT1G
ON Semiconductor

1PMT30AT1G

частка акцыі: 330

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 30V, Напружанне - прабой (мін.): 33.3V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 48.4V,

Ліст з жаданняў