Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

TVS - Дыёды

1SMA13AT3
ON Semiconductor

1SMA13AT3

частка акцыі: 3182

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 13V, Напружанне - прабой (мін.): 14.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 21.5V,

Ліст з жаданняў
1SMA12AT3
ON Semiconductor

1SMA12AT3

частка акцыі: 3241

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 12V, Напружанне - прабой (мін.): 13.3V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 19.9V,

Ліст з жаданняў
1SMA11CAT3G
ON Semiconductor

1SMA11CAT3G

частка акцыі: 6389

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 11V, Напружанне - прабой (мін.): 12.2V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 18.2V,

Ліст з жаданняў
1SMA11CAT3
ON Semiconductor

1SMA11CAT3

частка акцыі: 3235

Тып: Zener, Двунакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 11V, Напружанне - прабой (мін.): 12.2V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 18.2V,

Ліст з жаданняў
1SMA11AT3
ON Semiconductor

1SMA11AT3

частка акцыі: 3226

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 11V, Напружанне - прабой (мін.): 12.2V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 18.2V,

Ліст з жаданняў
1PMT58AT1G
ON Semiconductor

1PMT58AT1G

частка акцыі: 3208

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 58V, Напружанне - прабой (мін.): 64.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 93.6V,

Ліст з жаданняў
1PMT5.0AT3G
ON Semiconductor

1PMT5.0AT3G

частка акцыі: 3224

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 6.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 9.2V,

Ліст з жаданняў
1PMT33AT3
ON Semiconductor

1PMT33AT3

частка акцыі: 3226

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 33V, Напружанне - прабой (мін.): 36.7V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 53.3V,

Ліст з жаданняў
1PMT16AT3
ON Semiconductor

1PMT16AT3

частка акцыі: 3187

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 16V, Напружанне - прабой (мін.): 17.8V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 26V,

Ліст з жаданняў
1PMT12AT3G
ON Semiconductor

1PMT12AT3G

частка акцыі: 3190

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 12V, Напружанне - прабой (мін.): 13.3V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 19.9V,

Ліст з жаданняў
1PMT12AT3
ON Semiconductor

1PMT12AT3

частка акцыі: 3160

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 12V, Напружанне - прабой (мін.): 13.3V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 19.9V,

Ліст з жаданняў
1N6381G
ON Semiconductor

1N6381G

частка акцыі: 3130

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 45V, Напружанне - прабой (мін.): 52.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 78.9V,

Ліст з жаданняў
1N6380RL4
ON Semiconductor

1N6380RL4

частка акцыі: 3200

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 36V, Напружанне - прабой (мін.): 42.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 65.2V,

Ліст з жаданняў
1N6379RL4G
ON Semiconductor

1N6379RL4G

частка акцыі: 3117

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 22V, Напружанне - прабой (мін.): 25.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 37.5V,

Ліст з жаданняў
1N6379RL4
ON Semiconductor

1N6379RL4

частка акцыі: 3150

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 22V, Напружанне - прабой (мін.): 25.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 37.5V,

Ліст з жаданняў
1N6379G
ON Semiconductor

1N6379G

частка акцыі: 3079

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 22V, Напружанне - прабой (мін.): 25.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 37.5V,

Ліст з жаданняў
1N6379
ON Semiconductor

1N6379

частка акцыі: 3149

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 22V, Напружанне - прабой (мін.): 25.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 37.5V,

Ліст з жаданняў
1N6377RL4
ON Semiconductor

1N6377RL4

частка акцыі: 3113

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 15V, Напружанне - прабой (мін.): 17.6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 25V,

Ліст з жаданняў
1N6376RL4
ON Semiconductor

1N6376RL4

частка акцыі: 3158

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 12V, Напружанне - прабой (мін.): 14.1V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 21.2V,

Ліст з жаданняў
1N6375G
ON Semiconductor

1N6375G

частка акцыі: 3093

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 10V, Напружанне - прабой (мін.): 11.7V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 16.7V,

Ліст з жаданняў
1N6375
ON Semiconductor

1N6375

частка акцыі: 3120

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 10V, Напружанне - прабой (мін.): 11.7V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 16.7V,

Ліст з жаданняў
1N6374G
ON Semiconductor

1N6374G

частка акцыі: 3083

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 8V, Напружанне - прабой (мін.): 9.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15V,

Ліст з жаданняў
1N6374
ON Semiconductor

1N6374

частка акцыі: 3133

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 8V, Напружанне - прабой (мін.): 9.4V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 15V,

Ліст з жаданняў
1N6373
ON Semiconductor

1N6373

частка акцыі: 3116

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 5V, Напружанне - прабой (мін.): 6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 9.4V,

Ліст з жаданняў
1N6294AG
ON Semiconductor

1N6294AG

частка акцыі: 3093

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 77.8V, Напружанне - прабой (мін.): 86.5V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 125V,

Ліст з жаданняў
1N6294A
ON Semiconductor

1N6294A

частка акцыі: 3111

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 77.8V, Напружанне - прабой (мін.): 86.5V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 125V,

Ліст з жаданняў
1N6293ARL4G
ON Semiconductor

1N6293ARL4G

частка акцыі: 3058

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 70.1V, Напружанне - прабой (мін.): 77.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 113V,

Ліст з жаданняў
1N6293ARL4
ON Semiconductor

1N6293ARL4

частка акцыі: 3065

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 70.1V, Напружанне - прабой (мін.): 77.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 113V,

Ліст з жаданняў
1N6292ARL4
ON Semiconductor

1N6292ARL4

частка акцыі: 3009

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 64.1V, Напружанне - прабой (мін.): 71.3V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 103V,

Ліст з жаданняў
1N6292A
ON Semiconductor

1N6292A

частка акцыі: 3037

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 64.1V, Напружанне - прабой (мін.): 71.3V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 103V,

Ліст з жаданняў
1N6291ARL4
ON Semiconductor

1N6291ARL4

частка акцыі: 6320

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 58.1V, Напружанне - прабой (мін.): 64.6V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 92V,

Ліст з жаданняў
1N6290ARL4
ON Semiconductor

1N6290ARL4

частка акцыі: 3042

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 53V, Напружанне - прабой (мін.): 58.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 85V,

Ліст з жаданняў
1N6287ARL4
ON Semiconductor

1N6287ARL4

частка акцыі: 6377

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 40.2V, Напружанне - прабой (мін.): 44.7V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 64.8V,

Ліст з жаданняў
1N6286ARL4G
ON Semiconductor

1N6286ARL4G

частка акцыі: 2961

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 36.8V, Напружанне - прабой (мін.): 40.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 59.3V,

Ліст з жаданняў
1N6286ARL4
ON Semiconductor

1N6286ARL4

частка акцыі: 3029

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 36.8V, Напружанне - прабой (мін.): 40.9V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 59.3V,

Ліст з жаданняў
1N6284ARL4
ON Semiconductor

1N6284ARL4

частка акцыі: 2978

Тып: Zener, Аднанакіраваныя каналы: 1, Напружанне - зваротны рэзервовы эфект (тып): 30.8V, Напружанне - прабой (мін.): 34.2V, Напружанне - заціск (максімальны) @ Ipp: 49.9V,

Ліст з жаданняў