Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
APT40GP60BG
Microsemi Corporation

APT40GP60BG

частка акцыі: 6764

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT15GP90KG
Microsemi Corporation

APT15GP90KG

частка акцыі: 6829

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 43A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT15GP90BG
Microsemi Corporation

APT15GP90BG

частка акцыі: 9246

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 43A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT30GP60LDLG
Microsemi Corporation

APT30GP60LDLG

частка акцыі: 7363

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 463W,

Ліст з жаданняў
APT25GP90BDQ1G
Microsemi Corporation

APT25GP90BDQ1G

частка акцыі: 7620

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 72A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 417W,

Ліст з жаданняў
APT50GS60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GS60BRDQ2G

частка акцыі: 6273

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 195A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 415W,

Ліст з жаданняў
APT15GP60BDLG
Microsemi Corporation

APT15GP60BDLG

частка акцыі: 9155

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 56A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 65A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT95GR65JDU60
Microsemi Corporation

APT95GR65JDU60

частка акцыі: 6813

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 380A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A, Магутнасць - Макс: 446W,

Ліст з жаданняў
APT70GR65B2SCD30
Microsemi Corporation

APT70GR65B2SCD30

частка акцыі: 5004

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 134A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 260A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 595W,

Ліст з жаданняў
APT45GR65BSCD10
Microsemi Corporation

APT45GR65BSCD10

частка акцыі: 8278

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 118A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 224A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT45GR65SSCD10
Microsemi Corporation

APT45GR65SSCD10

частка акцыі: 7499

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 118A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 224A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT50GP60LDLG
Microsemi Corporation

APT50GP60LDLG

частка акцыі: 6759

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 190A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT30GS60KRG
Microsemi Corporation

APT30GS60KRG

частка акцыі: 6751

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 113A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT40GR120B2SCD10
Microsemi Corporation

APT40GR120B2SCD10

частка акцыі: 3452

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 88A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
APT25GR120BSCD10
Microsemi Corporation

APT25GR120BSCD10

частка акцыі: 4673

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 521W,

Ліст з жаданняў
APT44GA60B
Microsemi Corporation

APT44GA60B

частка акцыі: 13747

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 130A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A, Магутнасць - Макс: 337W,

Ліст з жаданняў
APT102GA60B2
Microsemi Corporation

APT102GA60B2

частка акцыі: 6806

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 183A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 307A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A, Магутнасць - Макс: 780W,

Ліст з жаданняў
APT100GT60B2RG
Microsemi Corporation

APT100GT60B2RG

частка акцыі: 5319

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 148A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
APT30GS60BRDLG
Microsemi Corporation

APT30GS60BRDLG

частка акцыі: 9592

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 113A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT75GN60B2DQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN60B2DQ3G

частка акцыі: 6653

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 155A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 536W,

Ліст з жаданняў
APT40GP90B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT40GP90B2DQ2G

частка акцыі: 4308

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 101A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT25GP90BG
Microsemi Corporation

APT25GP90BG

частка акцыі: 8250

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 72A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 417W,

Ліст з жаданняў
APT30GT60KRG
Microsemi Corporation

APT30GT60KRG

частка акцыі: 6650

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT20GN60BG
Microsemi Corporation

APT20GN60BG

частка акцыі: 23508

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 136W,

Ліст з жаданняў
APT20GT60BRG
Microsemi Corporation

APT20GT60BRG

частка акцыі: 13897

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 43A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 174W,

Ліст з жаданняў
APT20GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT20GF120BRDQ1G

частка акцыі: 6633

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 36A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 64A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 200W,

Ліст з жаданняў
APT20GF120BRG
Microsemi Corporation

APT20GF120BRG

частка акцыі: 6692

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 64A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 200W,

Ліст з жаданняў
APT15GT60KRG
Microsemi Corporation

APT15GT60KRG

частка акцыі: 6607

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 184W,

Ліст з жаданняў
APT15GP60KG
Microsemi Corporation

APT15GP60KG

частка акцыі: 5709

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 56A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 65A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT15GN120KG
Microsemi Corporation

APT15GN120KG

частка акцыі: 6596

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 195W,

Ліст з жаданняў
APT13GP120KG
Microsemi Corporation

APT13GP120KG

частка акцыі: 6676

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT11GP60BDQBG
Microsemi Corporation

APT11GP60BDQBG

частка акцыі: 6595

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A, Магутнасць - Макс: 187W,

Ліст з жаданняў
APT11GF120KRG
Microsemi Corporation

APT11GF120KRG

частка акцыі: 6674

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 44A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 156W,

Ліст з жаданняў
APT11GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT11GF120BRDQ1G

частка акцыі: 6645

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 156W,

Ліст з жаданняў
APT15GP90BDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GP90BDQ1G

частка акцыі: 9002

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 43A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT15GP60BDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GP60BDQ1G

частка акцыі: 12383

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 56A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 65A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў