Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
APT85GR120B2
Microsemi Corporation

APT85GR120B2

частка акцыі: 4316

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 340A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Магутнасць - Макс: 962W,

Ліст з жаданняў
APT45GR65B
Microsemi Corporation

APT45GR65B

частка акцыі: 10884

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 92A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 168A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 357W,

Ліст з жаданняў
APT25GR120SD15
Microsemi Corporation

APT25GR120SD15

частка акцыі: 6784

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 521W,

Ліст з жаданняў
APT30GS60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT30GS60BRDQ2G

частка акцыі: 8545

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 113A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT35GA90BD15
Microsemi Corporation

APT35GA90BD15

частка акцыі: 8990

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 63A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
APT25GP120BDQ1G
Microsemi Corporation

APT25GP120BDQ1G

частка акцыі: 5387

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 69A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 417W,

Ліст з жаданняў
APT40GR120B
Microsemi Corporation

APT40GR120B

частка акцыі: 7864

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 88A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
APT50GF120LRG
Microsemi Corporation

APT50GF120LRG

частка акцыі: 3226

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 781W,

Ліст з жаданняў
APT36GA60B
Microsemi Corporation

APT36GA60B

частка акцыі: 10848

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 109A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
APT25GN120SG
Microsemi Corporation

APT25GN120SG

частка акцыі: 7823

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 67A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 272W,

Ліст з жаданняў
APT45GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT45GP120B2DQ2G

частка акцыі: 3343

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 113A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 170A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT65GP60B2G
Microsemi Corporation

APT65GP60B2G

частка акцыі: 3477

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, Магутнасць - Макс: 833W,

Ліст з жаданняў
APT33GF120BRG
Microsemi Corporation

APT33GF120BRG

частка акцыі: 6611

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 52A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 104A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 297W,

Ліст з жаданняў
APT80GA60LD40
Microsemi Corporation

APT80GA60LD40

частка акцыі: 5111

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 143A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT50GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT50GN120L2DQ2G

частка акцыі: 3928

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 134A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT50GT60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GT60BRDQ2G

частка акцыі: 8198

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 446W,

Ліст з жаданняў
APT25GR120BD15
Microsemi Corporation

APT25GR120BD15

частка акцыі: 8367

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 521W,

Ліст з жаданняў
APT27GA90BD15
Microsemi Corporation

APT27GA90BD15

частка акцыі: 9145

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 79A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A, Магутнасць - Макс: 223W,

Ліст з жаданняў
APT25GT120BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT25GT120BRDQ2G

частка акцыі: 7393

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 347W,

Ліст з жаданняў
APT25GT120BRG
Microsemi Corporation

APT25GT120BRG

частка акцыі: 9392

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 54A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 347W,

Ліст з жаданняў
APT50GT120B2RG
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RG

частка акцыі: 4226

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 94A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT75GN120LG
Microsemi Corporation

APT75GN120LG

частка акцыі: 4252

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 833W,

Ліст з жаданняў
APT25GR120B
Microsemi Corporation

APT25GR120B

частка акцыі: 10487

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 521W,

Ліст з жаданняў
APT30GT60BRDQ2G
Microsemi Corporation

APT30GT60BRDQ2G

частка акцыі: 10975

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT40GT60BRG
Microsemi Corporation

APT40GT60BRG

частка акцыі: 7056

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 345W,

Ліст з жаданняў
APT60GT60BRG
Microsemi Corporation

APT60GT60BRG

частка акцыі: 6334

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 360A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
APT65GP60L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT65GP60L2DQ2G

частка акцыі: 3385

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 198A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 250A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A, Магутнасць - Макс: 833W,

Ліст з жаданняў
APT75GP120B2G
Microsemi Corporation

APT75GP120B2G

частка акцыі: 2676

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 1042W,

Ліст з жаданняў
APT75GN120B2G
Microsemi Corporation

APT75GN120B2G

частка акцыі: 5110

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 833W,

Ліст з жаданняў
APT50GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT50GP60B2DQ2G

частка акцыі: 4373

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 190A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT40GP60B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT40GP60B2DQ2G

частка акцыі: 4770

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT50GP60BG
Microsemi Corporation

APT50GP60BG

частка акцыі: 5801

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 190A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT40GP60SG
Microsemi Corporation

APT40GP60SG

частка акцыі: 6297

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT25GR120SSCD10
Microsemi Corporation

APT25GR120SSCD10

частка акцыі: 4355

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 521W,

Ліст з жаданняў
APT44GA60BD30C
Microsemi Corporation

APT44GA60BD30C

частка акцыі: 6845

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 130A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A, Магутнасць - Макс: 337W,

Ліст з жаданняў
APT33GF120LRDQ2G
Microsemi Corporation

APT33GF120LRDQ2G

частка акцыі: 6891

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 357W,

Ліст з жаданняў