Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
APT85GR120L
Microsemi Corporation

APT85GR120L

частка акцыі: 4352

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 340A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A, Магутнасць - Макс: 962W,

Ліст з жаданняў
APT64GA90B2D30
Microsemi Corporation

APT64GA90B2D30

частка акцыі: 5459

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 117A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 193A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
APT25GR120S
Microsemi Corporation

APT25GR120S

частка акцыі: 8706

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 521W,

Ліст з жаданняў
APT35GP120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT35GP120B2DQ2G

частка акцыі: 3425

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT30GP60BG
Microsemi Corporation

APT30GP60BG

частка акцыі: 6877

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 463W,

Ліст з жаданняў
APT25GN120BG
Microsemi Corporation

APT25GN120BG

частка акцыі: 9003

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 67A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 272W,

Ліст з жаданняў
APT50GR120B2
Microsemi Corporation

APT50GR120B2

частка акцыі: 6076

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 117A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 694W,

Ліст з жаданняў
APT50GT120B2RDLG
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDLG

частка акцыі: 3743

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 106A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 694W,

Ліст з жаданняў
APT80GA60B
Microsemi Corporation

APT80GA60B

частка акцыі: 6029

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 143A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 240A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT36GA60BD15
Microsemi Corporation

APT36GA60BD15

частка акцыі: 8494

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 109A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
APT40GR120B2D30
Microsemi Corporation

APT40GR120B2D30

частка акцыі: 5976

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 88A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
APT70GR120B2
Microsemi Corporation

APT70GR120B2

частка акцыі: 5872

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 961W,

Ліст з жаданняў
APT70GR120L
Microsemi Corporation

APT70GR120L

частка акцыі: 5006

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 160A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 961W,

Ліст з жаданняў
APT70GR65B
Microsemi Corporation

APT70GR65B

частка акцыі: 9503

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 134A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 260A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 595W,

Ліст з жаданняў
APT40GR120S
Microsemi Corporation

APT40GR120S

частка акцыі: 6836

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 88A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
APT50GN120B2G
Microsemi Corporation

APT50GN120B2G

частка акцыі: 6219

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 134A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT35GP120BG
Microsemi Corporation

APT35GP120BG

частка акцыі: 4037

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT50GR120L
Microsemi Corporation

APT50GR120L

частка акцыі: 7440

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 117A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 694W,

Ліст з жаданняў
APT25GP120BG
Microsemi Corporation

APT25GP120BG

частка акцыі: 6960

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 69A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 417W,

Ліст з жаданняў
APT13GP120BG
Microsemi Corporation

APT13GP120BG

частка акцыі: 10841

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT68GA60B
Microsemi Corporation

APT68GA60B

частка акцыі: 7230

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 121A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 202A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 520W,

Ліст з жаданняў
APT35GN120L2DQ2G
Microsemi Corporation

APT35GN120L2DQ2G

частка акцыі: 5728

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 94A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 379W,

Ліст з жаданняў
APT15GT60BRG
Microsemi Corporation

APT15GT60BRG

частка акцыі: 17440

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 184W,

Ліст з жаданняў
APT50GS60BRDLG
Microsemi Corporation

APT50GS60BRDLG

частка акцыі: 7256

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 195A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 415W,

Ліст з жаданняў
APT100GN60B2G
Microsemi Corporation

APT100GN60B2G

частка акцыі: 6392

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 229A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT30GT60BRG
Microsemi Corporation

APT30GT60BRG

частка акцыі: 10467

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT75GN60BG
Microsemi Corporation

APT75GN60BG

частка акцыі: 8678

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 155A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 536W,

Ліст з жаданняў
APT150GN60B2G
Microsemi Corporation

APT150GN60B2G

частка акцыі: 3491

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 450A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, Магутнасць - Макс: 536W,

Ліст з жаданняў
APT50GN60BG
Microsemi Corporation

APT50GN60BG

частка акцыі: 13902

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 107A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 366W,

Ліст з жаданняў
APT50GS60BRG
Microsemi Corporation

APT50GS60BRG

частка акцыі: 9786

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 195A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 415W,

Ліст з жаданняў
APT30GN60BG
Microsemi Corporation

APT30GN60BG

частка акцыі: 19623

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 63A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 203W,

Ліст з жаданняў
APT50GF120B2RG
Microsemi Corporation

APT50GF120B2RG

частка акцыі: 3865

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 781W,

Ліст з жаданняў
APT15GT120BRG
Microsemi Corporation

APT15GT120BRG

частка акцыі: 12117

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 36A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT30GP60B2DLG
Microsemi Corporation

APT30GP60B2DLG

частка акцыі: 7454

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 463W,

Ліст з жаданняў
APT30GN60BDQ2G
Microsemi Corporation

APT30GN60BDQ2G

частка акцыі: 14922

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 63A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 203W,

Ліст з жаданняў
APT20GN60BDQ1G
Microsemi Corporation

APT20GN60BDQ1G

частка акцыі: 20011

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 136W,

Ліст з жаданняў