Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Транзістары - IGBT - адзінкавыя
APT150GN60LDQ4G
Microsemi Corporation

APT150GN60LDQ4G

частка акцыі: 3228

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 450A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A, Магутнасць - Макс: 536W,

Ліст з жаданняў
APT50GN60BDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GN60BDQ2G

частка акцыі: 9330

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 107A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 366W,

Ліст з жаданняў
APT15GT60BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GT60BRDQ1G

частка акцыі: 20246

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 42A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 184W,

Ліст з жаданняў
APT68GA60B2D40
Microsemi Corporation

APT68GA60B2D40

частка акцыі: 6971

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 121A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 202A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 520W,

Ліст з жаданняў
APT75GN60LDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN60LDQ3G

частка акцыі: 5921

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 155A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 225A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 536W,

Ліст з жаданняў
APT68GA60LD40
Microsemi Corporation

APT68GA60LD40

частка акцыі: 6948

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 121A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 202A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 520W,

Ліст з жаданняў
APT45GR65B2DU30
Microsemi Corporation

APT45GR65B2DU30

частка акцыі: 10147

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 118A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 224A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT70GR65B2DU40
Microsemi Corporation

APT70GR65B2DU40

частка акцыі: 8839

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 134A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 280A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 595W,

Ліст з жаданняў
APT40GP90BG
Microsemi Corporation

APT40GP90BG

частка акцыі: 4206

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 543W,

Ліст з жаданняў
APT44GA60BD30
Microsemi Corporation

APT44GA60BD30

частка акцыі: 10083

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 130A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A, Магутнасць - Макс: 337W,

Ліст з жаданняў
APT80GA90LD40
Microsemi Corporation

APT80GA90LD40

частка акцыі: 5400

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 145A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 239A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT64GA90B
Microsemi Corporation

APT64GA90B

частка акцыі: 8162

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 117A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 193A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
APT64GA90LD30
Microsemi Corporation

APT64GA90LD30

частка акцыі: 6579

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 117A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 193A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 38A, Магутнасць - Макс: 500W,

Ліст з жаданняў
APT54GA60B
Microsemi Corporation

APT54GA60B

частка акцыі: 11075

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 161A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 416W,

Ліст з жаданняў
APT50GT120B2RDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GT120B2RDQ2G

частка акцыі: 4613

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 94A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT25GN120B2DQ2G
Microsemi Corporation

APT25GN120B2DQ2G

частка акцыі: 7473

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 67A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 272W,

Ліст з жаданняў
APT15GT120BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GT120BRDQ1G

частка акцыі: 11168

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 36A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT45GP120BG
Microsemi Corporation

APT45GP120BG

частка акцыі: 3545

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 170A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT15GN120BDQ1G
Microsemi Corporation

APT15GN120BDQ1G

частка акцыі: 10827

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 195W,

Ліст з жаданняў
APT50GT120LRDQ2G
Microsemi Corporation

APT50GT120LRDQ2G

частка акцыі: 4370

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 106A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 694W,

Ліст з жаданняў
APT35GA90B
Microsemi Corporation

APT35GA90B

частка акцыі: 14857

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 63A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A, Магутнасць - Макс: 290W,

Ліст з жаданняў
APT200GN60B2G
Microsemi Corporation

APT200GN60B2G

частка акцыі: 3095

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 283A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 600A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A, Магутнасць - Макс: 682W,

Ліст з жаданняў
APT102GA60L
Microsemi Corporation

APT102GA60L

частка акцыі: 4595

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 183A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 307A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A, Магутнасць - Макс: 780W,

Ліст з жаданняў
APT80GA90B
Microsemi Corporation

APT80GA90B

частка акцыі: 6126

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 145A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 239A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў
APT13GP120BDQ1G
Microsemi Corporation

APT13GP120BDQ1G

частка акцыі: 9652

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 41A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A, Магутнасць - Макс: 250W,

Ліст з жаданняў
APT54GA60BD30
Microsemi Corporation

APT54GA60BD30

частка акцыі: 9202

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 96A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 161A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Магутнасць - Макс: 416W,

Ліст з жаданняў
APT100GN120B2G
Microsemi Corporation

APT100GN120B2G

частка акцыі: 2601

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 245A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 960W,

Ліст з жаданняў
APT35GN120BG
Microsemi Corporation

APT35GN120BG

частка акцыі: 7198

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 94A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 379W,

Ліст з жаданняў
APT30GP60BDQ1G
Microsemi Corporation

APT30GP60BDQ1G

частка акцыі: 6297

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 463W,

Ліст з жаданняў
APT43GA90B
Microsemi Corporation

APT43GA90B

частка акцыі: 9181

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 129A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 337W,

Ліст з жаданняў
APT50GT60BRG
Microsemi Corporation

APT50GT60BRG

частка акцыі: 10003

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 110A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 446W,

Ліст з жаданняў
APT33GF120B2RDQ2G
Microsemi Corporation

APT33GF120B2RDQ2G

частка акцыі: 3825

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 64A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 357W,

Ліст з жаданняў
APT20GT60BRDQ1G
Microsemi Corporation

APT20GT60BRDQ1G

частка акцыі: 9530

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 43A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 174W,

Ліст з жаданняў
APT43GA90BD30
Microsemi Corporation

APT43GA90BD30

частка акцыі: 7291

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 78A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 129A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A, Магутнасць - Макс: 337W,

Ліст з жаданняў
APT95GR65B2
Microsemi Corporation

APT95GR65B2

частка акцыі: 6557

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 208A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 400A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 95A, Магутнасць - Макс: 892W,

Ліст з жаданняў
APT100GN60LDQ4G
Microsemi Corporation

APT100GN60LDQ4G

частка акцыі: 4644

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 229A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 625W,

Ліст з жаданняў