Дыёды - моставыя выпрамнікі

VUO22-16NO1

частка акцыі: 2918

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.19V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1600V,

Пажаданні

VUO28-08NO7

частка акцыі: 5740

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 28A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 800V,

Пажаданні

VBO88-16NO7

частка акцыі: 3147

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 92A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.13V @ 50A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500µA @ 1600V,

Пажаданні

VBO22-08NO8

частка акцыі: 7191

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 21A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.2V @ 150A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 800V,

Пажаданні

VUO160-14NO7

частка акцыі: 1194

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 175A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200µA @ 1400V,

Пажаданні

DF08SA-E3/45

частка акцыі: 126247

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні

GBPC1501-E4/51

частка акцыі: 17621

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні

GBPC2504W-E4/51

частка акцыі: 17657

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні

VS-60MT160KPBF

частка акцыі: 1235

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 60A,

Пажаданні

GBPC1504-E4/51

частка акцыі: 17656

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні

GBU4J-M3/51

частка акцыі: 91445

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні

GBPC3501-E4/51

частка акцыі: 15220

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні

VS-KBPC6005PBF

частка акцыі: 32841

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні

VS-KBPC8005PBF

частка акцыі: 29977

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні

VS-KBPC610PBF

частка акцыі: 24912

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10mA @ 1000V,

Пажаданні

SMC Diode Solutions

KBP210GTB

частка акцыі: 143665

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні

SCBH15FF

частка акцыі: 705

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 970mV @ 5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 150V,

Пажаданні

S3BR25F

частка акцыі: 670

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 2.5kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 5V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2500V,

Пажаданні

SBMB4F

частка акцыі: 1236

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 400V,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

SC3BA6

частка акцыі: 552

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 600V,

Пажаданні

Infineon Technologies

DD170N16SHPSA1

частка акцыі: 163

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 165A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 9mA @ 1600V,

Пажаданні

GBU803 D2G

частка акцыі: 105

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P02G C2G

частка акцыі: 175

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні

Comchip Technology

KBU25005-G

частка акцыі: 61050

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні

GBJ808-F

частка акцыі: 37572

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні

GBU804

частка акцыі: 42177

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні

KBP005G

частка акцыі: 138250

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні

GBU606

частка акцыі: 48267

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні