Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

FUS45-0045B
IXYS

FUS45-0045B

частка акцыі: 10620

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 45A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5mA @ 45V,

Пажаданні
VUO68-08NO7
IXYS

VUO68-08NO7

частка акцыі: 5709

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 68A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 800V,

Пажаданні
VUO68-14NO7
IXYS

VUO68-14NO7

частка акцыі: 5164

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.4kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 68A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 60A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 1400V,

Пажаданні
VBO72-18NO7
IXYS

VBO72-18NO7

частка акцыі: 2018

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.8kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 72A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.08V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1800V,

Пажаданні
VUO52-12NO1
IXYS

VUO52-12NO1

частка акцыі: 2666

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 54A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.13V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 1200V,

Пажаданні
VUE22-12NO7
IXYS

VUE22-12NO7

частка акцыі: 4356

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 24A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.01V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 60µA @ 1200V,

Пажаданні
FUO22-16N
IXYS

FUO22-16N

частка акцыі: 8611

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 28A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.62V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1600V,

Пажаданні
VBO130-08NO7
IXYS

VBO130-08NO7

частка акцыі: 1355

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 122A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 120A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200µA @ 800V,

Пажаданні
VBO125-16NO7
IXYS

VBO125-16NO7

частка акцыі: 1255

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 124A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 150A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1600V,

Пажаданні
VBO52-12NO7
IXYS

VBO52-12NO7

частка акцыі: 2427

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 52A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.07V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 1200V,

Пажаданні
FBO40-12N
IXYS

FBO40-12N

частка акцыі: 9808

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.17V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 40µA @ 1200V,

Пажаданні
VUE75-12NO7
IXYS

VUE75-12NO7

частка акцыі: 4061

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 74A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.71V @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 250µA @ 1200V,

Пажаданні
VUO110-08NO7
IXYS

VUO110-08NO7

частка акцыі: 1448

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 127A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.13V @ 50A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 800V,

Пажаданні
VBO25-12NO2
IXYS

VBO25-12NO2

частка акцыі: 3619

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 38A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.36V @ 55A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 300µA @ 1200V,

Пажаданні
VS-111MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111MT160KPBF

частка акцыі: 860

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 110A,

Пажаданні
GBU6M-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6M-M3/45

частка акцыі: 72569

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
GBPC2510-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC2510-E4/51

частка акцыі: 17574

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
GBU4B-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4B-M3/51

частка акцыі: 91438

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
VS-KBPC801PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC801PBF

частка акцыі: 27778

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

Пажаданні
VS-91MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-91MT120KPBF

частка акцыі: 911

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 90A,

Пажаданні
DF06SA-E3/77
Vishay Semiconductor Diodes Division

DF06SA-E3/77

частка акцыі: 120462

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
VS-53MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-53MT160KPBF

частка акцыі: 851

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 55A,

Пажаданні
VS-90MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-90MT80KPBF

частка акцыі: 890

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 90A,

Пажаданні
VS-1KAB40E
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1KAB40E

частка акцыі: 38214

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
VS-40MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40MT160KPBF

частка акцыі: 1349

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.6kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.51V @ 100A,

Пажаданні
GBPC1206W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1206W-E4/51

частка акцыі: 17570

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
CD-DF406S
Bourns Inc.

CD-DF406S

частка акцыі: 180726

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU805HD2G

частка акцыі: 112

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
TS6P03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P03G D2G

частка акцыі: 152

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
TS6P03G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P03G C2G

частка акцыі: 246

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
GBU804 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU804 D2G

частка акцыі: 115

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
SC3AS15FF
Semtech Corporation

SC3AS15FF

частка акцыі: 90

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 970mV @ 30A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 180µA @ 150V,

Пажаданні
SBMA05F
Semtech Corporation

SBMA05F

частка акцыі: 1142

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 50V,

Пажаданні
SC3BH2F
Semtech Corporation

SC3BH2F

частка акцыі: 470

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 200V,

Пажаданні
RMB6S-TP
Micro Commercial Co

RMB6S-TP

частка акцыі: 130061

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
KBJ610G
Diodes Incorporated

KBJ610G

частка акцыі: 59406

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні