Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

GBJ1502TB
SMC Diode Solutions

GBJ1502TB

частка акцыі: 138479

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
KBP302GTB
SMC Diode Solutions

KBP302GTB

частка акцыі: 180522

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
GBU408TB
SMC Diode Solutions

GBU408TB

частка акцыі: 110238

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
GBU804TB
SMC Diode Solutions

GBU804TB

частка акцыі: 110689

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 8A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
GBU1002TB
SMC Diode Solutions

GBU1002TB

частка акцыі: 196348

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
MB05STR
SMC Diode Solutions

MB05STR

частка акцыі: 143251

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 800mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
GBJ2004TB
SMC Diode Solutions

GBJ2004TB

частка акцыі: 131025

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
KBP304GTB
SMC Diode Solutions

KBP304GTB

частка акцыі: 121329

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
GBJ1504TB
SMC Diode Solutions

GBJ1504TB

частка акцыі: 138486

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
MB1STR
SMC Diode Solutions

MB1STR

частка акцыі: 157946

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 500mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
GBPC25005TA
SMC Diode Solutions

GBPC25005TA

частка акцыі: 40424

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
KBP3005GTB
SMC Diode Solutions

KBP3005GTB

частка акцыі: 122835

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
UG2KB20TB
SMC Diode Solutions

UG2KB20TB

частка акцыі: 191033

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
UG2KB40TB
SMC Diode Solutions

UG2KB40TB

частка акцыі: 152523

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
DB151STR
SMC Diode Solutions

DB151STR

частка акцыі: 178649

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
GBPC5010W
GeneSiC Semiconductor

GBPC5010W

частка акцыі: 18536

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
DB155G
GeneSiC Semiconductor

DB155G

частка акцыі: 127044

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
GBPC5006T
GeneSiC Semiconductor

GBPC5006T

частка акцыі: 18567

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
KBL606G
GeneSiC Semiconductor

KBL606G

частка акцыі: 138105

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
KBPC2506T
GeneSiC Semiconductor

KBPC2506T

частка акцыі: 46709

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
KBPC2502T
GeneSiC Semiconductor

KBPC2502T

частка акцыі: 46693

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
KBPC15005W
GeneSiC Semiconductor

KBPC15005W

частка акцыі: 49383

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
KBPC25005W
GeneSiC Semiconductor

KBPC25005W

частка акцыі: 46681

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
KBU6K
GeneSiC Semiconductor

KBU6K

частка акцыі: 58

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
GBPC2501T
GeneSiC Semiconductor

GBPC2501T

частка акцыі: 34776

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
KBL608G
GeneSiC Semiconductor

KBL608G

частка акцыі: 138132

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
KBU10005
GeneSiC Semiconductor

KBU10005

частка акцыі: 96173

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
GBPC15005T
GeneSiC Semiconductor

GBPC15005T

частка акцыі: 40877

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
GBL06
GeneSiC Semiconductor

GBL06

частка акцыі: 123971

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

Пажаданні
KBJ2504G
GeneSiC Semiconductor

KBJ2504G

частка акцыі: 55632

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
KBJ25005G
GeneSiC Semiconductor

KBJ25005G

частка акцыі: 55646

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 50V,

Пажаданні
GBPC5010T
GeneSiC Semiconductor

GBPC5010T

частка акцыі: 18616

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

Пажаданні
TS50P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P06GHC2G

частка акцыі: 119

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
TS25P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P07GHC2G

частка акцыі: 92

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
TS50P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P06G C2G

частка акцыі: 39

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
T483F
Sensata-Crydom

T483F

частка акцыі: 1394

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A,

Пажаданні