Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - моставыя выпрамнікі

DB102TB
SMC Diode Solutions

DB102TB

частка акцыі: 163705

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
MB8FTR
SMC Diode Solutions

MB8FTR

частка акцыі: 186761

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 800mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
UG6KB10TB
SMC Diode Solutions

UG6KB10TB

частка акцыі: 104718

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
GBU1004TB
SMC Diode Solutions

GBU1004TB

частка акцыі: 196438

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
GBU1504TB
SMC Diode Solutions

GBU1504TB

частка акцыі: 171426

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
KBP301GTB
SMC Diode Solutions

KBP301GTB

частка акцыі: 131775

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
FTB8F-15FTR
SMC Diode Solutions

FTB8F-15FTR

частка акцыі: 158084

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
UG4KB10TB
SMC Diode Solutions

UG4KB10TB

частка акцыі: 188305

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
DB101STR
SMC Diode Solutions

DB101STR

частка акцыі: 101666

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
KBP402GTB
SMC Diode Solutions

KBP402GTB

частка акцыі: 194971

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
GBJ10005TB
SMC Diode Solutions

GBJ10005TB

частка акцыі: 171361

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
GBU4005TB
SMC Diode Solutions

GBU4005TB

частка акцыі: 189307

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
KBP208GTB
SMC Diode Solutions

KBP208GTB

частка акцыі: 159633

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
UG3KB20GTB
SMC Diode Solutions

UG3KB20GTB

частка акцыі: 192203

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
GBU602GTB
SMC Diode Solutions

GBU602GTB

частка акцыі: 137178

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 6A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
GBU15A
GeneSiC Semiconductor

GBU15A

частка акцыі: 84752

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 15A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
KBPC2504T
GeneSiC Semiconductor

KBPC2504T

частка акцыі: 46706

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
GBL08
GeneSiC Semiconductor

GBL08

частка акцыі: 124026

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
GBPC3501T
GeneSiC Semiconductor

GBPC3501T

частка акцыі: 34845

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
GBPC25005W
GeneSiC Semiconductor

GBPC25005W

частка акцыі: 33

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
KBPC3504W
GeneSiC Semiconductor

KBPC3504W

частка акцыі: 43969

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 35A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 17.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

Пажаданні
GBPC5001T
GeneSiC Semiconductor

GBPC5001T

частка акцыі: 18556

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
KBJ408G
GeneSiC Semiconductor

KBJ408G

частка акцыі: 69754

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
GBPC5004W
GeneSiC Semiconductor

GBPC5004W

частка акцыі: 18583

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

Пажаданні
KBP203
GeneSiC Semiconductor

KBP203

частка акцыі: 167672

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
DB107G
GeneSiC Semiconductor

DB107G

частка акцыі: 175004

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
GBPC50005T
GeneSiC Semiconductor

GBPC50005T

частка акцыі: 18596

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
KBPC25005T
GeneSiC Semiconductor

KBPC25005T

частка акцыі: 46733

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
KBU1002
GeneSiC Semiconductor

KBU1002

частка акцыі: 87748

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

Пажаданні
KBPC5001W
GeneSiC Semiconductor

KBPC5001W

частка акцыі: 27738

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 50A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 25A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

Пажаданні
KBPC2502W
GeneSiC Semiconductor

KBPC2502W

частка акцыі: 46673

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

Пажаданні
KBPC2508W
GeneSiC Semiconductor

KBPC2508W

частка акцыі: 46744

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

Пажаданні
KBPC15005T
GeneSiC Semiconductor

KBPC15005T

частка акцыі: 49394

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 50V,

Пажаданні
TS40P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS40P06GHD2G

частка акцыі: 94

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

Пажаданні
TS40P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS40P07GHD2G

частка акцыі: 63

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1000V,

Пажаданні
T483A
Sensata-Crydom

T483A

частка акцыі: 2096

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 10A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 25µA @ 100V,

Пажаданні