Тырыстары - SCR | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 94

VS-10RIA80M

частка акцыі: 4562

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 10A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C20L1

частка акцыі: 601

Напружанне - выключанае: 2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 990A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2000A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA40

частка акцыі: 5710

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C04CFL1

частка акцыі: 1184

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.58V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 390A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 745A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P0PBF

частка акцыі: 699

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C24L1

частка акцыі: 467

Напружанне - выключанае: 2.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 790A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1557A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFL1

частка акцыі: 489

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1435A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA40MPBF

частка акцыі: 816

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFP1

частка акцыі: 1039

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.07V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 610A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C18K1

частка акцыі: 332

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1473A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 2913A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12M1L

частка акцыі: 694

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C0L

частка акцыі: 763

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI40

частка акцыі: 1575

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA100

частка акцыі: 4863

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C04LFL1

частка акцыі: 607

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.63V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 940A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1900A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L0

частка акцыі: 619

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 910A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1857A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12S-M3

частка акцыі: 72684

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 45mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.25V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-110RKI120M

частка акцыі: 764

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.57V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 110A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 172A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16RIA120

частка акцыі: 3873

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 35A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C04C0

частка акцыі: 821

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 960A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1900A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80

частка акцыі: 1704

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS16STRL-M3

частка акцыі: 52805

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C06C0

частка акцыі: 1292

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.36V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 960A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C04LFM1

частка акцыі: 600

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.63V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 940A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1900A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0P

частка акцыі: 456

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 471A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S6008VS2TP

частка акцыі: 102413

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5.1A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S6X8ES

частка акцыі: 133151

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

MCR218-6G

частка акцыі: 95274

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 25mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S4008DS3RP

частка акцыі: 167700

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 500µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5.1A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

SRR6016D1RP

частка акцыі: 139

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 6mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10.24A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

MCR25NG

частка акцыі: 44664

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 30mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

MCR8DSNT4G

частка акцыі: 180978

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5.1A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S8X8TS1RP

частка акцыі: 197223

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 5µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S4006LS2TP

частка акцыі: 45213

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 3.8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 6A,

Пажаданні

IXYS

CS23-12IO2

частка акцыі: 2548

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 50mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 32A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 50A,

Пажаданні

Powerex Inc.

T607081574BT

частка акцыі: 703

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.1V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 150A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 235A,

Пажаданні