Тырыстары - SCR | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 94

VS-ST230C12C1L

частка акцыі: 1173

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1

частка акцыі: 595

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1290A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12-M3

частка акцыі: 27457

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 35mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C0

частка акцыі: 711

Напружанне - выключанае: 1.8kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 350A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 660A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL0

частка акцыі: 847

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1435A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA60

частка акцыі: 5109

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 25A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 40A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA120M

частка акцыі: 2667

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 80A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0L

частка акцыі: 804

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.96V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 720A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1420A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TTS08-M3

частка акцыі: 42474

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12.5A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM0P

частка акцыі: 929

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1L

частка акцыі: 432

Напружанне - выключанае: 1.6kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.52V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 330A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 520A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRL-M3

частка акцыі: 58873

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.4V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 10A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 16A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K0

частка акцыі: 407

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.44V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2310A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4150A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C0L

частка акцыі: 1219

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0

частка акцыі: 336

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 471A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L0

частка акцыі: 642

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.18V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 560A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1115A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1

частка акцыі: 926

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.15V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 85A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 135A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P1V

частка акцыі: 829

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 200A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 314A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK1

частка акцыі: 329

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.16V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 300A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 471A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0

частка акцыі: 318

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.73V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1650A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3080A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0L

частка акцыі: 233

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.62V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1745A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 3200A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80PBF

частка акцыі: 2343

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 120mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 125A,

Пажаданні

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C1

частка акцыі: 1403

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 150mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.69V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 410A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 780A,

Пажаданні

IXYS

CS20-25MOT1

частка акцыі: 4116

Напружанне - выключанае: 2.5kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 250mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 3V,

Пажаданні

IXYS

CS30-14IO1

частка акцыі: 13079

Напружанне - выключанае: 1.4kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 55mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.63V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 30A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 49A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S4X8ES1AP

частка акцыі: 117932

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 5µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S4006DRP

частка акцыі: 161532

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 3.8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 6A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

MCR106-8G

частка акцыі: 114442

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2.55A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S4X8ES2RP

частка акцыі: 146951

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 50µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 510mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S601E

частка акцыі: 77906

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 10mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 640mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

MCR706AT4G

частка акцыі: 195203

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 75µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 2.2V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1.6A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S8055WTP

частка акцыі: 18874

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 40mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 35A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 55A,

Пажаданні

Littelfuse Inc.

S6065JTP

частка акцыі: 10002

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 2V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 50mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 41A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 65A,

Пажаданні

Powerex Inc.

C702CP

частка акцыі: 341

Напружанне - выключанае: 3kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 4.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.85V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 1000A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1571A,

Пажаданні

STMicroelectronics

TN1215-600H

частка акцыі: 49211

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.3V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-5 A1G

частка акцыі: 255

Напружанне - выключанае: 300V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Пажаданні