Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IRGB4062DPBF
Infineon Technologies

IRGB4062DPBF

частка акцыі: 15219

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 72A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IRGP35B60PD-EP
Infineon Technologies

IRGP35B60PD-EP

частка акцыі: 15758

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 308W,

Пажаданні
IRGR4045DTRPBF
Infineon Technologies

IRGR4045DTRPBF

частка акцыі: 63312

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 12A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Магутнасць - Макс: 77W,

Пажаданні
IRGI4062DPBF
Infineon Technologies

IRGI4062DPBF

частка акцыі: 5664

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 22A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 44A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.58V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 48W,

Пажаданні
IRG4PH50S-EPBF
Infineon Technologies

IRG4PH50S-EPBF

частка акцыі: 11454

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 57A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 114A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IKD10N60R
Infineon Technologies

IKD10N60R

частка акцыі: 6688

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IRG7PH37K10DPBF
Infineon Technologies

IRG7PH37K10DPBF

частка акцыі: 6764

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 216W,

Пажаданні
IRG7CH81K10EF-R
Infineon Technologies

IRG7CH81K10EF-R

частка акцыі: 6814

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A,

Пажаданні
IRGP6640D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP6640D-EPBF

частка акцыі: 6839

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 53A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 72A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IHW40T60FKSA1
Infineon Technologies

IHW40T60FKSA1

частка акцыі: 6753

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 303W,

Пажаданні
IKD15N60R
Infineon Technologies

IKD15N60R

частка акцыі: 6733

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IRG4PH50KDPBF
Infineon Technologies

IRG4PH50KDPBF

частка акцыі: 7255

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
SGW15N60FKSA1
Infineon Technologies

SGW15N60FKSA1

частка акцыі: 6745

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 31A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 62A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 139W,

Пажаданні
IRGR2B60KDPBF
Infineon Technologies

IRGR2B60KDPBF

частка акцыі: 39621

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6.3A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 8A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2A, Магутнасць - Макс: 35W,

Пажаданні
IRG8CH29K10F
Infineon Technologies

IRG8CH29K10F

частка акцыі: 5698

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A,

Пажаданні
IRGB4615DPBF
Infineon Technologies

IRGB4615DPBF

частка акцыі: 6790

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 24A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 99W,

Пажаданні
STGB5H60DF
STMicroelectronics

STGB5H60DF

частка акцыі: 106999

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 10A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 88W,

Пажаданні
STGB30NC60WT4
STMicroelectronics

STGB30NC60WT4

частка акцыі: 25014

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGQ50N60C4D1
IXYS

IXGQ50N60C4D1

частка акцыі: 6818

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH39N60BD1
IXYS

IXGH39N60BD1

частка акцыі: 6735

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 76A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 152A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGQ90N33TC
IXYS

IXGQ90N33TC

частка акцыі: 6677

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 330V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGL50N60BD1
IXYS

IXGL50N60BD1

частка акцыі: 6705

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V,

Пажаданні
IXGK120N120A3
IXYS

IXGK120N120A3

частка акцыі: 2690

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 240A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 600A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 830W,

Пажаданні
IXSX50N60BU1
IXYS

IXSX50N60BU1

частка акцыі: 6676

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH35N120C
IXYS

IXGH35N120C

частка акцыі: 6715

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IXGH24N60BU1
IXYS

IXGH24N60BU1

частка акцыі: 6725

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 48A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 150W,

Пажаданні
IXSR50N60BU1
IXYS

IXSR50N60BU1

частка акцыі: 6677

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V,

Пажаданні
IXGP50N33TBM-A
IXYS

IXGP50N33TBM-A

частка акцыі: 6700

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 330V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 50W,

Пажаданні
IXGR40N60B
IXYS

IXGR40N60B

частка акцыі: 8520

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGX82N120A3
IXYS

IXGX82N120A3

частка акцыі: 3921

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 260A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 580A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 82A, Магутнасць - Макс: 1250W,

Пажаданні
IXBF50N360
IXYS

IXBF50N360

частка акцыі: 1337

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 3600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 420A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 290W,

Пажаданні
RGT40NS65DGTL
Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

частка акцыі: 64766

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 161W,

Пажаданні
FGH40T65SQD_F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD_F155

частка акцыі: 6871

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 238W,

Пажаданні
TIG074E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG074E8-TL-H

частка акцыі: 104319

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5.4V @ 2.5V, 100A,

Пажаданні
RJH1BF6RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America

RJH1BF6RDPQ-80#T2

частка акцыі: 6799

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1100V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 55A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 55A, Магутнасць - Макс: 227.2W,

Пажаданні
RJH60T04DPQ-A1#T0
Renesas Electronics America

RJH60T04DPQ-A1#T0

частка акцыі: 5597

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 208.3W,

Пажаданні