Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

IRG4BC30FD-S
Infineon Technologies

IRG4BC30FD-S

частка акцыі: 6886

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 31A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IKW75N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKW75N65ES5XKSA1

частка акцыі: 10754

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 395W,

Пажаданні
IRG7PSH54K10DPBF
Infineon Technologies

IRG7PSH54K10DPBF

частка акцыі: 5778

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 520W,

Пажаданні
IRGP4262DPBF
Infineon Technologies

IRGP4262DPBF

частка акцыі: 6750

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 96A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IRG4BC30WPBF
Infineon Technologies

IRG4BC30WPBF

частка акцыі: 28651

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 23A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 92A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRG8P15N120KD-EPBF
Infineon Technologies

IRG8P15N120KD-EPBF

частка акцыі: 6923

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
IRG8P25N120KDPBF
Infineon Technologies

IRG8P25N120KDPBF

частка акцыі: 6824

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 180W,

Пажаданні
IRG7PG42UDPBF
Infineon Technologies

IRG7PG42UDPBF

частка акцыі: 6779

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 320W,

Пажаданні
IRG4PC40FPBF
Infineon Technologies

IRG4PC40FPBF

частка акцыі: 17204

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 49A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A, Магутнасць - Макс: 160W,

Пажаданні
IRGP6650DPBF
Infineon Technologies

IRGP6650DPBF

частка акцыі: 6811

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 105A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 306W,

Пажаданні
IRGP4263PBF
Infineon Technologies

IRGP4263PBF

частка акцыі: 6730

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 192A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 48A, Магутнасць - Макс: 300W,

Пажаданні
IGP01N120H2XKSA1
Infineon Technologies

IGP01N120H2XKSA1

частка акцыі: 6692

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 3.2A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 3.5A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 1A, Магутнасць - Макс: 28W,

Пажаданні
IRG4BC10SD-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC10SD-SPBF

частка акцыі: 35968

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 14A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 18A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Магутнасць - Макс: 38W,

Пажаданні
IGW25N120H3FKSA1
Infineon Technologies

IGW25N120H3FKSA1

частка акцыі: 9971

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 326W,

Пажаданні
IRGP35B60PDPBF
Infineon Technologies

IRGP35B60PDPBF

частка акцыі: 11449

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 308W,

Пажаданні
IRGP4263D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4263D-EPBF

частка акцыі: 6760

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 192A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 48A, Магутнасць - Макс: 325W,

Пажаданні
IXGR39N60B
IXYS

IXGR39N60B

частка акцыі: 6746

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 66A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 152A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 39A, Магутнасць - Макс: 140W,

Пажаданні
IXGH12N60CD1
IXYS

IXGH12N60CD1

частка акцыі: 5745

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 48A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IXGP15N120C
IXYS

IXGP15N120C

частка акцыі: 6745

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGR80N60B
IXYS

IXGR80N60B

частка акцыі: 4081

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V,

Пажаданні
IXGX35N120BD1
IXYS

IXGX35N120BD1

частка акцыі: 4891

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 70A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 140A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 35A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
IXGP90N33TCM-A
IXYS

IXGP90N33TCM-A

частка акцыі: 6689

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 330V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A,

Пажаданні
IXGX72N60C3H1
IXYS

IXGX72N60C3H1

частка акцыі: 6539

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 360A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 540W,

Пажаданні
IXGX32N170AH1
IXYS

IXGX32N170AH1

частка акцыі: 2934

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 110A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A, Магутнасць - Макс: 350W,

Пажаданні
IXGH25N100U1
IXYS

IXGH25N100U1

частка акцыі: 5711

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 100A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXSR50N60B
IXYS

IXSR50N60B

частка акцыі: 6696

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V,

Пажаданні
NGTB25N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB25N120FLWG

частка акцыі: 14526

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 192W,

Пажаданні
NGTB40N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB40N120FLWG

частка акцыі: 6772

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 260W,

Пажаданні
HGTD1N120BNS9A
ON Semiconductor

HGTD1N120BNS9A

частка акцыі: 110867

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 5.3A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 6A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A, Магутнасць - Макс: 60W,

Пажаданні
FGPF70N33BTTU
ON Semiconductor

FGPF70N33BTTU

частка акцыі: 5665

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 330V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 220A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 70A, Магутнасць - Макс: 48W,

Пажаданні
NGTB45N60SWG
ON Semiconductor

NGTB45N60SWG

частка акцыі: 18877

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 90A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 180A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
RJH60D1DPP-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D1DPP-E0#T2

частка акцыі: 6827

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 30W,

Пажаданні
RJH60M3DPE-00#J3
Renesas Electronics America

RJH60M3DPE-00#J3

частка акцыі: 6737

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 35A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 113W,

Пажаданні
RJH60D1DPP-M0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D1DPP-M0#T2

частка акцыі: 6759

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 30W,

Пажаданні
STGP12NB60HD
STMicroelectronics

STGP12NB60HD

частка акцыі: 6956

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
STGB8NC60KT4
STMicroelectronics

STGB8NC60KT4

частка акцыі: 83299

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 30A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Магутнасць - Макс: 65W,

Пажаданні