Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - IGBT - адзінкавыя

FGH75T65SQDT_F155
ON Semiconductor

FGH75T65SQDT_F155

частка акцыі: 6887

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 300A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Магутнасць - Макс: 375W,

Пажаданні
TIG065E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG065E8-TL-H

частка акцыі: 158546

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 400V, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 7V @ 2.5V, 100A,

Пажаданні
FGH30N6S2
ON Semiconductor

FGH30N6S2

частка акцыі: 6818

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 45A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 108A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 167W,

Пажаданні
NGTB40N120SWG
ON Semiconductor

NGTB40N120SWG

частка акцыі: 10512

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 535W,

Пажаданні
NGTB20N120IHWG
ON Semiconductor

NGTB20N120IHWG

частка акцыі: 21619

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 40A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A, Магутнасць - Макс: 341W,

Пажаданні
IRG4BC30KDSTRLP
Infineon Technologies

IRG4BC30KDSTRLP

частка акцыі: 33727

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 28A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 56A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRGR2B60KDTRLPBF
Infineon Technologies

IRGR2B60KDTRLPBF

частка акцыі: 90989

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6.3A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 8A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2A, Магутнасць - Макс: 35W,

Пажаданні
IRG4BC30F-STRLP
Infineon Technologies

IRG4BC30F-STRLP

частка акцыі: 5697

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 31A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 120A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IHY15N120R3XKSA1
Infineon Technologies

IHY15N120R3XKSA1

частка акцыі: 6686

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 30A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 45A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Магутнасць - Макс: 254W,

Пажаданні
IKW40N120H3FKSA1
Infineon Technologies

IKW40N120H3FKSA1

частка акцыі: 6023

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 483W,

Пажаданні
IRG7PH46U-EP
Infineon Technologies

IRG7PH46U-EP

частка акцыі: 6757

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 160A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 469W,

Пажаданні
IRGS14C40LPBF
Infineon Technologies

IRGS14C40LPBF

частка акцыі: 23797

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 430V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
IRG4PH30KPBF
Infineon Technologies

IRG4PH30KPBF

частка акцыі: 17419

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IRGS4640DPBF
Infineon Technologies

IRGS4640DPBF

частка акцыі: 6861

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 72A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IRG7PH42UD2-EP
Infineon Technologies

IRG7PH42UD2-EP

частка акцыі: 6785

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.02V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 321W,

Пажаданні
IRGP4620D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4620D-EPBF

частка акцыі: 6764

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 32A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 36A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 140W,

Пажаданні
IRGS10B60KDTRLP
Infineon Technologies

IRGS10B60KDTRLP

частка акцыі: 25535

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 22A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 44A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A, Магутнасць - Макс: 156W,

Пажаданні
IRG7PG42UD-EPBF
Infineon Technologies

IRG7PG42UD-EPBF

частка акцыі: 6889

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 90A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 320W,

Пажаданні
IRG7PH42UD1-EP
Infineon Technologies

IRG7PH42UD1-EP

частка акцыі: 6758

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 85A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 200A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Магутнасць - Макс: 313W,

Пажаданні
SKB02N60E3266ATMA1
Infineon Technologies

SKB02N60E3266ATMA1

частка акцыі: 5755

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 12A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A, Магутнасць - Макс: 30W,

Пажаданні
IRG8P08N120KDPBF
Infineon Technologies

IRG8P08N120KDPBF

частка акцыі: 6816

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 15A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A, Магутнасць - Макс: 89W,

Пажаданні
IXGT50N90B2D1
IXYS

IXGT50N90B2D1

частка акцыі: 8573

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 900V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Магутнасць - Макс: 400W,

Пажаданні
IXGA12N100
IXYS

IXGA12N100

частка акцыі: 21599

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1000V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 24A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 48A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 100W,

Пажаданні
IXXR110N65B4H1
IXYS

IXXR110N65B4H1

частка акцыі: 6356

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 460A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A, Магутнасць - Макс: 455W,

Пажаданні
IXGC12N60C
IXYS

IXGC12N60C

частка акцыі: 6698

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 15A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 48A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Магутнасць - Макс: 85W,

Пажаданні
IXGX100N170
IXYS

IXGX100N170

частка акцыі: 2438

Тып IGBT: NPT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1700V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 170A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 600A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Магутнасць - Макс: 830W,

Пажаданні
IXGP24N60C4D1
IXYS

IXGP24N60C4D1

частка акцыі: 6792

Тып IGBT: PT, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 56A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 130A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Магутнасць - Макс: 190W,

Пажаданні
IXGH40N60C
IXYS

IXGH40N60C

частка акцыі: 6681

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
IXSH25N120A
IXYS

IXSH25N120A

частка акцыі: 6694

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 200W,

Пажаданні
IXGH40N60B
IXYS

IXGH40N60B

частка акцыі: 6741

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 150A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
RJP60F5DPM-00#T1
Renesas Electronics America

RJP60F5DPM-00#T1

частка акцыі: 6731

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 80A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Магутнасць - Макс: 45W,

Пажаданні
RJH1BF7RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America

RJH1BF7RDPQ-80#T2

частка акцыі: 6723

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1100V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 60A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A, Магутнасць - Макс: 250W,

Пажаданні
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America

RJP60F0DPM-00#T1

частка акцыі: 17787

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 40W,

Пажаданні
RJP60F0DPE-00#J3
Renesas Electronics America

RJP60F0DPE-00#J3

частка акцыі: 6771

Тып IGBT: Trench, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A, Магутнасць - Макс: 122W,

Пажаданні
STGB10NB37LZ
STMicroelectronics

STGB10NB37LZ

частка акцыі: 6794

Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 440V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 20A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 40A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A, Магутнасць - Макс: 125W,

Пажаданні
STGP4M65DF2
STMicroelectronics

STGP4M65DF2

частка акцыі: 59622

Тып IGBT: Trench Field Stop, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Ток - Імпульсны калектар (Icm): 16A, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Магутнасць - Макс: 68W,

Пажаданні