Транзістары - IGBT - модулі | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 65

APTGF165SK60D1G

частка акцыі: 463

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 230A, Магутнасць - Макс: 730W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

частка акцыі: 496

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 220A, Магутнасць - Макс: 833W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

частка акцыі: 456

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 230A, Магутнасць - Макс: 781W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

частка акцыі: 448

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 230A, Магутнасць - Макс: 730W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

частка акцыі: 440

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

частка акцыі: 442

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

частка акцыі: 487

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Full Bridge Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 25A, Магутнасць - Макс: 140W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

частка акцыі: 414

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

частка акцыі: 410

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Asymmetrical Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

частка акцыі: 435

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

частка акцыі: 453

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Магутнасць - Макс: 568W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

частка акцыі: 3069

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200A, Магутнасць - Макс: 961W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

частка акцыі: 453

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Dual, Common Source, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Магутнасць - Макс: 568W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

частка акцыі: 411

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 130A, Магутнасць - Макс: 735W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

частка акцыі: 435

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Half Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 135A, Магутнасць - Макс: 568W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

частка акцыі: 455

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Магутнасць - Макс: 378W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

частка акцыі: 418

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Магутнасць - Макс: 378W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

частка акцыі: 3465

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 347W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

частка акцыі: 3433

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 347W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

частка акцыі: 448

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 277W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

частка акцыі: 465

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 58A, Магутнасць - Макс: 192W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

частка акцыі: 416

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 58A, Магутнасць - Макс: 192W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

частка акцыі: 481

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 120A, Магутнасць - Макс: 416W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT75GN120J

частка акцыі: 420

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 124A, Магутнасць - Макс: 379W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

частка акцыі: 401

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 124A, Магутнасць - Макс: 379W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

частка акцыі: 445

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 93A, Магутнасць - Макс: 378W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT50GP60J

частка акцыі: 2419

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 100A, Магутнасць - Макс: 329W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

частка акцыі: 393

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 72A, Магутнасць - Макс: 379W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

частка акцыі: 2536

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 86A, Магутнасць - Макс: 284W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

частка акцыі: 469

Тып IGBT: NPT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 77A, Магутнасць - Макс: 347W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

частка акцыі: 406

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 283A, Магутнасць - Макс: 682W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

частка акцыі: 1653

Тып IGBT: PT, Канфігурацыя: Single, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 128A, Магутнасць - Макс: 543W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

частка акцыі: 1360

Тып IGBT: NPT, Trench Field Stop, Канфігурацыя: Boost Chopper, Full Bridge, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 600V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 65A, Магутнасць - Макс: 250W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

частка акцыі: 373

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 454.5W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A2P75S12M3

частка акцыі: 372

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 1200V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 75A, Магутнасць - Макс: 454.5W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Пажаданні

STMicroelectronics

A2C50S65M2

частка акцыі: 320

Тып IGBT: Trench Field Stop, Канфігурацыя: Three Phase Inverter with Brake, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 650V, Ток - калектар (Ic) (макс.): 50A, Магутнасць - Макс: 208W, Vce (уключана) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Пажаданні