Транзістары - FET, MOSFET - масівы

SP8K2TB

частка акцыі: 195188

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

SH8K15TB1

частка акцыі: 137046

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

QS8K11TCR

частка акцыі: 198738

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

US6M1TR

частка акцыі: 141982

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.4A, 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

SH8M13GZETB

частка акцыі: 173570

Тып FET: N and P-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

SI1965DH-T1-GE3

частка акцыі: 150223

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

SI1016X-T1-GE3

частка акцыі: 135127

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 485mA, 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

SI6926ADQ-T1-E3

частка акцыі: 129467

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

SI1023CX-T1-GE3

частка акцыі: 136072

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

SQ3989EV-T1_GE3

частка акцыі: 124228

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

SI4670DY-T1-GE3

частка акцыі: 139899

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

SIZ300DT-T1-GE3

частка акцыі: 146800

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A, 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Пажаданні

SI7540ADP-T1-GE3

частка акцыі: 87195

Тып FET: N and P-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A, 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.4V @ 250µA,

Пажаданні

SI4943CDY-T1-E3

частка акцыі: 89694

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

SQJ992EP-T1_GE3

частка акцыі: 130455

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

SQJ570EP-T1_GE3

частка акцыі: 165202

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15A (Tc), 9.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

SI5902BDC-T1-GE3

частка акцыі: 125173

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

SQ1539EH-T1_GE3

частка акцыі: 2491

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 10V, 940 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.6V @ 250µA,

Пажаданні

Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

частка акцыі: 104906

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 230mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

частка акцыі: 162696

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 900mV @ 100µA,

Пажаданні

Texas Instruments

CSD85302L

частка акцыі: 146505

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard,

Пажаданні

Texas Instruments

CSD86360Q5D

частка акцыі: 67326

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 250µA,

Пажаданні

TSM200N03DPQ33 RGG

частка акцыі: 2506

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

FDMA1023PZ

частка акцыі: 100824

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

FDS8958B

частка акцыі: 194401

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.4A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

NVMFD5485NLT3G

частка акцыі: 94178

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

NTJD4158CT1G

частка акцыі: 159746

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 250mA, 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 100µA,

Пажаданні

EFC6612R-TF

частка акцыі: 157184

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Пажаданні

IRF7105TRPBF

частка акцыі: 196914

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

IPG16N10S4L61AATMA1

частка акцыі: 195154

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 90µA,

Пажаданні

IPG20N06S4L14ATMA2

частка акцыі: 126778

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 20µA,

Пажаданні