Транзістары - FET, MOSFET - масівы

QS8K13TCR

частка акцыі: 183897

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

SP8K31TB1

частка акцыі: 132551

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

SH8KA2GZETB

частка акцыі: 158789

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

SH8K5TB1

частка акцыі: 122471

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

QS8K21TR

частка акцыі: 194558

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 45V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

QS8M12TCR

частка акцыі: 150953

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

SH8M14TB1

частка акцыі: 116026

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

IRF7104TRPBF

частка акцыі: 104561

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

IRF7379TRPBF

частка акцыі: 199093

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

IPG20N10S4L22AATMA1

частка акцыі: 108999

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 25µA,

Пажаданні

IRF6802SDTRPBF

частка акцыі: 60962

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 35µA,

Пажаданні

IPG20N06S4L26ATMA1

частка акцыі: 197280

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 10µA,

Пажаданні

IRLHS6376TRPBF

частка акцыі: 115333

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.1V @ 10µA,

Пажаданні

IRF7902TRPBF

частка акцыі: 168640

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.4A, 9.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.25V @ 25µA,

Пажаданні

FDS8978

частка акцыі: 143107

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

NTZD5110NT1G

частка акцыі: 185466

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 294mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

FDG6322C

частка акцыі: 124499

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 220mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

HUFA76413DK8T-F085

частка акцыі: 2586

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

NTJD5121NT1G

частка акцыі: 179833

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 295mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

FDPC8012S

частка акцыі: 47700

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A, 26A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

MCH6661-TL-W

частка акцыі: 182202

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.6V @ 1mA,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

PMDPB85UPE,115

частка акцыі: 183418

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 950mV @ 250µA,

Пажаданні

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNEYL

частка акцыі: 2497

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 950mV @ 250µA,

Пажаданні

SI4559ADY-T1-E3

частка акцыі: 141967

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A, 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

SQ9945BEY-T1_GE3

частка акцыі: 163985

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

SI7922DN-T1-E3

частка акцыі: 86587

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.5V @ 250µA,

Пажаданні

Toshiba Semiconductor and Storage

SIA923AEDJ-T1-GE3

частка акцыі: 138927

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 900mV @ 250µA,

Пажаданні

SSM6L12TU,LF

частка акцыі: 2495

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.1V @ 100µA,

Пажаданні

DMN63D8LV-7

частка акцыі: 151779

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 260mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

ZDM4306NTC

частка акцыі: 2685

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 1mA,

Пажаданні

DMC2990UDJ-7

частка акцыі: 146844

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 450mA, 310mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

DMN2050LFDB-13

частка акцыі: 178082

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні