Транзістары - FET, MOSFET - масівы

FDS6912

частка акцыі: 99723

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

FDM2509NZ

частка акцыі: 2731

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

NTUD3127CT5G

частка акцыі: 2739

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160mA, 140mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

FDY2001PZ

частка акцыі: 2782

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 150mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

NTJD4401NT2G

частка акцыі: 2745

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 630mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

FDC6000NZ

частка акцыі: 2733

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

NTLJD4150PTBG

частка акцыі: 2781

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Пажаданні

FDG6322C_D87Z

частка акцыі: 2704

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 220mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

NTL4502NT1

частка акцыі: 2702

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Пажаданні

ECH8601M-C-TL-H

частка акцыі: 2940

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V,

Пажаданні

NTJD4152PT1

частка акцыі: 2693

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

Пажаданні

NDS9936

частка акцыі: 2706

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

EFC6601R-A-TR

частка акцыі: 185411

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Пажаданні

NDS9959

частка акцыі: 2628

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

Пажаданні

IRF7325

частка акцыі: 2634

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 900mV @ 250µA,

Пажаданні

IRF7379PBF

частка акцыі: 2664

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

IRF7754

частка акцыі: 2962

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 900mV @ 250µA,

Пажаданні

IRF8513PBF

частка акцыі: 2834

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.35V @ 25µA,

Пажаданні

IRF7338TRPBF

частка акцыі: 2782

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.3A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

IRF7750TR

частка акцыі: 2689

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

Пажаданні

IRF8313PBF

частка акцыі: 2835

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.35V @ 25µA,

Пажаданні

IRF7379QTRPBF

частка акцыі: 2818

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

IRF7101PBF

частка акцыі: 2712

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

SI4906DY-T1-GE3

частка акцыі: 2837

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

SI7842DP-T1-GE3

частка акцыі: 2811

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Пажаданні

SI7218DN-T1-GE3

частка акцыі: 99158

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

SMMA511DJ-T1-GE3

частка акцыі: 2895

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

SI6924AEDQ-T1-GE3

частка акцыі: 2794

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 28V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

SI4952DY-T1-GE3

частка акцыі: 3339

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

SI3850ADV-T1-GE3

частка акцыі: 2805

Тып FET: N and P-Channel, Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.4A, 960mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

SI4388DY-T1-E3

частка акцыі: 2702

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.7A, 11.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

SI6983DQ-T1-GE3

частка акцыі: 2899

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 400µA,

Пажаданні