Транзістары - FET, MOSFET - масівы

SI5920DC-T1-E3

частка акцыі: 2798

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

SI1913EDH-T1-E3

частка акцыі: 2794

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 450mV @ 100µA,

Пажаданні

SI7214DN-T1-GE3

частка акцыі: 99144

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

SI6981DQ-T1-GE3

частка акцыі: 2836

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 900mV @ 300µA,

Пажаданні

SI6562DQ-T1-E3

частка акцыі: 3304

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 600mV @ 250µA (Min),

Пажаданні

SIZ342DT-T1-GE3

частка акцыі: 178805

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15.7A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Пажаданні

SI4330DY-T1-E3

частка акцыі: 2782

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

SI4953ADY-T1-GE3

частка акцыі: 2804

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

Пажаданні

SI4622DY-T1-GE3

частка акцыі: 2878

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

SI9934BDY-T1-E3

частка акцыі: 3305

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.4V @ 250µA,

Пажаданні

SI3948DV-T1-E3

частка акцыі: 2733

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

Пажаданні

SI4914BDY-T1-E3

частка акцыі: 118968

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.4A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.7V @ 250µA,

Пажаданні

SI4618DY-T1-GE3

частка акцыі: 64981

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, 15.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

EMH2408-TL-H

частка акцыі: 2843

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

Пажаданні

FDS8934A

частка акцыі: 2753

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

MMDF2N02ER2G

частка акцыі: 2690

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

NTHD2102PT1G

частка акцыі: 3360

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

FW276-TL-2H

частка акцыі: 3348

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 450V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 700mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 Ohm @ 350mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4.5V @ 1mA,

Пажаданні

NVMD6N03R2G

частка акцыі: 2901

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

MCH6601-TL-E

частка акцыі: 168759

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

Пажаданні

NTQD6866R2G

частка акцыі: 2711

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

Пажаданні

NTUD3128NT5G

частка акцыі: 2747

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

IRF5852

частка акцыі: 2710

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.25V @ 250µA,

Пажаданні

IRF7751TRPBF

частка акцыі: 2786

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

IRF7504TR

частка акцыі: 2662

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 700mV @ 250µA,

Пажаданні

IRF7319PBF

частка акцыі: 85832

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

IRF7509TR

частка акцыі: 2686

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.7A, 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

IRF7303QTRPBF

частка акцыі: 2779

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

IRF6723M2DTRPBF

частка акцыі: 2819

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.35V @ 25µA,

Пажаданні