Транзістары - FET, MOSFET - масівы

FDS9933A

частка акцыі: 190178

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

FDC6506P

частка акцыі: 194858

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

NVMFD5483NLT1G

частка акцыі: 65498

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

FDC6305N

частка акцыі: 129016

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

NTUD3129PT5G

частка акцыі: 2940

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 140mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

NVMFD5875NLT1G

частка акцыі: 155747

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

FDMS3668S

частка акцыі: 82251

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A, 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.7V @ 250µA,

Пажаданні

Taiwan Semiconductor Corporation

NVMFD5C470NLWFT1G

частка акцыі: 277

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 20µA,

Пажаданні

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

частка акцыі: 3093

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Silicon Carbide (SiC), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 100A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5.55V @ 40mA,

Пажаданні

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

частка акцыі: 3004

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.35V @ 25µA,

Пажаданні

TSM6968SDCA RVG

частка акцыі: 9997

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

DMN2016LHAB-7

частка акцыі: 190312

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.1V @ 250µA,

Пажаданні

DMG1016VQ-13

частка акцыі: 163191

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 870mA, 640mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

DMC1030UFDB-13

частка акцыі: 115059

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

DMN2029USD-13

частка акцыі: 136935

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

ZXMHC6A07T8TA

частка акцыі: 83548

Тып FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.6A, 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні

SH8M41TB1

частка акцыі: 127833

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.4A, 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

QH8KA4TCR

частка акцыі: 78816

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 1mA,

Пажаданні

TT8J21TR

частка акцыі: 169061

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 1mA,

Пажаданні

SH8J66TB1

частка акцыі: 75609

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні

SI3590DV-T1-GE3

частка акцыі: 199636

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.5A, 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні

SI7998DP-T1-GE3

частка акцыі: 103462

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 25A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

SIA915DJ-T4-GE3

частка акцыі: 2966

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.7A (Ta), 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні

SIZ322DT-T1-GE3

частка акцыі: 266

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Пажаданні

SI5944DU-T1-GE3

частка акцыі: 2992

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні