| Друкаваць | Апісанне |
| Статус часткі | Active |
|---|---|
| Тып FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Функцыя FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 100A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 5.55V @ 40mA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 250nC @ 15V |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 7950pF @ 800V |
| Магутнасць - Макс | - |
| Працоўная тэмпература | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | Chassis Mount |
| Пакет / чахол | Module |
| Пакет прылад пастаўшчыка | Module |
| Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
|---|---|
| Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
| LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
| Акцыя катэгорыя | Даступны запас |
