Транзістары - FET, MOSFET - масівы

FMM150-0075X2F

частка акцыі: 4607

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 75V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

VMM85-02F

частка акцыі: 1197

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 84A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 8mA,

GWM220-004P3-SL SAM

частка акцыі: 2944

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 180A, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

VWM270-0075X2

частка акцыі: 697

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 75V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 270A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 500µA,

FDC6327C

частка акцыі: 146072

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.7A, 1.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

FDMC8298

частка акцыі: 2974

NTMFD5C650NLT1G

частка акцыі: 6527

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21A (Ta), 111A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 98µA,

NVMFD5C446NWFT1G

частка акцыі: 6461

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A (Ta), 127A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.5V @ 250µA,

FDMJ1032C

частка акцыі: 2986

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.2A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

FDG6308P

частка акцыі: 158700

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

FDG6320C

частка акцыі: 131902

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 220mA, 140mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

EFC4622R-R-W-E-TR

частка акцыі: 2960

FDS4559

частка акцыі: 172345

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

NTJD2152PT4

частка акцыі: 2980

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 775mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

PMGD175XNEAX

частка акцыі: 100101

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.25V @ 250µA,

ZXMC3F31DN8TA

частка акцыі: 184943

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.8A, 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

DMN3035LWN-7

частка акцыі: 179644

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

DMC3400SDW-7

частка акцыі: 148048

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 650mA, 450mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.6V @ 250µA,

DMN63D0LT-7

частка акцыі: 180893

DMN5L06VKQ-7

частка акцыі: 192415

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 280mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

DMP2065UFDB-7

частка акцыі: 144177

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

ZXMHC3A01N8TC

частка акцыі: 158505

Тып FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.17A, 1.64A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

SI1902DL-T1-GE3

частка акцыі: 162518

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 660mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

SI4532CDY-T1-GE3

частка акцыі: 107643

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

SQ4949EY-T1_GE3

частка акцыі: 10794

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

SIZ790DT-T1-GE3

частка акцыі: 117428

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16A, 35A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

SI1028X-T1-GE3

частка акцыі: 148144

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

SI3586DV-T1-E3

частка акцыі: 2975

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.1V @ 250µA,

SI4943BDY-T1-E3

частка акцыі: 73640

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

SI4904DY-T1-E3

частка акцыі: 68509

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

TSM6866SDCA RVG

частка акцыі: 9954

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 600mV @ 250µA,

CSD87331Q3D

частка акцыі: 140901

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15A, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V, 1.2V @ 250µA,

MCQ4503-TP

частка акцыі: 124864

Тып FET: N and P-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.3A, 8.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

SMA5132

частка акцыі: 10943

Тып FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.5A,

SSM6N35AFE,LF

частка акцыі: 13256

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 100µA,

UPA2372T1P-E4-A

частка акцыі: 2981