Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - FET, MOSFET - масівы

FDG6301N
ON Semiconductor

FDG6301N

частка акцыі: 168456

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 220mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні
FDC6561AN
ON Semiconductor

FDC6561AN

частка акцыі: 139456

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні
NVMFD5C680NLT1G
ON Semiconductor

NVMFD5C680NLT1G

частка акцыі: 9923

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 13µA,

Пажаданні
FDS8947A
ON Semiconductor

FDS8947A

частка акцыі: 2987

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні
FDML7610S
ON Semiconductor

FDML7610S

частка акцыі: 100177

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A, 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні
NTJD4152PT2G
ON Semiconductor

NTJD4152PT2G

частка акцыі: 174011

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

Пажаданні
NTMD6N02R2G
ON Semiconductor

NTMD6N02R2G

частка акцыі: 152790

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.92A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

Пажаданні
NVMD6N04R2G
ON Semiconductor

NVMD6N04R2G

частка акцыі: 160815

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні
NVMFD5C672NLT1G
ON Semiconductor

NVMFD5C672NLT1G

частка акцыі: 262

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 30µA,

Пажаданні
FDMD8260LET60
ON Semiconductor

FDMD8260LET60

частка акцыі: 41547

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні
NDS9952A
ON Semiconductor

NDS9952A

частка акцыі: 160596

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.7A, 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.8V @ 250µA,

Пажаданні
FDMS3622S
ON Semiconductor

FDMS3622S

частка акцыі: 105683

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17.5A, 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Пажаданні
FDMS3610S
ON Semiconductor

FDMS3610S

частка акцыі: 116056

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17.5A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Пажаданні
FDC6302P
ON Semiconductor

FDC6302P

частка акцыі: 184685

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні
ECH8649-TL-H
ON Semiconductor

ECH8649-TL-H

частка акцыі: 2942

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

Пажаданні
ECH8601M-TL-H-P
ON Semiconductor

ECH8601M-TL-H-P

частка акцыі: 2925

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 1mA,

Пажаданні
FDS9945
ON Semiconductor

FDS9945

частка акцыі: 120654

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні
NTMFD4901NFT1G
ON Semiconductor

NTMFD4901NFT1G

частка акцыі: 126984

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10.3A, 17.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,

Пажаданні
GWM100-01X1-SLSAM
IXYS

GWM100-01X1-SLSAM

частка акцыі: 2795

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4.5V @ 250µA,

Пажаданні
CTLDM7120-M832DS TR
Central Semiconductor Corp

CTLDM7120-M832DS TR

частка акцыі: 136453

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 1mA,

Пажаданні
DMC3016LDV-7
Diodes Incorporated

DMC3016LDV-7

частка акцыі: 175686

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Пажаданні
DMN3016LDV-7
Diodes Incorporated

DMN3016LDV-7

частка акцыі: 157491

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

Пажаданні
DMN63D8LDWQ-7
Diodes Incorporated

DMN63D8LDWQ-7

частка акцыі: 161902

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 220mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні
DMN2004DWK-7
Diodes Incorporated

DMN2004DWK-7

частка акцыі: 161664

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні
PMDPB56XNEAX
Nexperia USA Inc.

PMDPB56XNEAX

частка акцыі: 198127

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.25V @ 250µA,

Пажаданні
STS5DPF20L
STMicroelectronics

STS5DPF20L

частка акцыі: 89710

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні
STL20DNF06LAG
STMicroelectronics

STL20DNF06LAG

частка акцыі: 155965

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні
STL66DN3LLH5
STMicroelectronics

STL66DN3LLH5

частка акцыі: 78965

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 78.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

Пажаданні
SH8K3TB1
Rohm Semiconductor

SH8K3TB1

частка акцыі: 55153

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні
IRFH4253DTRPBF
Infineon Technologies

IRFH4253DTRPBF

частка акцыі: 74468

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 64A, 145A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.1V @ 35µA,

Пажаданні
SIZ350DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ350DT-T1-GE3

частка акцыі: 220

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

Пажаданні
SI4590DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4590DY-T1-GE3

частка акцыі: 189788

Тып FET: N and P-Channel, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.4A, 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні
SI3900DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3900DV-T1-GE3

частка акцыі: 169893

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

Пажаданні
SI1023X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1023X-T1-GE3

частка акцыі: 119178

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 450mV @ 250µA (Min),

Пажаданні
CSD87335Q3D
Texas Instruments

CSD87335Q3D

частка акцыі: 96785

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.9V @ 250µA,

Пажаданні
HCT802
TT Electronics/Optek Technology

HCT802

частка акцыі: 2104

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 90V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A, 1.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

Пажаданні