Транзістары - FET, MOSFET - масівы

FDMC9430L-F085

частка акцыі: 211

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLT1G

частка акцыі: 9983

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 30µA,

FDS8958A

частка акцыі: 10836

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A, 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

FDD8424H

частка акцыі: 181368

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A, 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

EFC4630R-TR

частка акцыі: 3001

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 1mA,

FDMS3606AS

частка акцыі: 63299

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A, 27A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.7V @ 250µA,

FDS6982AS_G

частка акцыі: 2936

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.3A, 8.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA,

ECH8651R-R-TL-HX

частка акцыі: 2970

FDZ1416NZ

частка акцыі: 131465

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT1G

частка акцыі: 147994

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

SSM6L13TU(T5L,F,T)

частка акцыі: 2912

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 1mA,

SSM6N48FU,RF(D

частка акцыі: 2967

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 100µA,

IRF7380QTRPBF

частка акцыі: 2971

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

IRF7341QTRPBF

частка акцыі: 2975

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

IRF5810TRPBF

частка акцыі: 3074

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

IRF7904PBF

частка акцыі: 75561

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.6A, 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.25V @ 25µA,

IRF7343TRPBF

частка акцыі: 191306

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

DMN1003UCA6-7

частка акцыі: 9998

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 1mA,

DMN63D1LDW-13

частка акцыі: 120600

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

DMT3020LFDB-7

частка акцыі: 173648

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

ZXMC4559DN8TC

частка акцыі: 98680

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.6A, 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

DMN2028UFU-13

частка акцыі: 184757

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

DMG8601UFG-7

частка акцыі: 139933

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.05V @ 250µA,

DMC1030UFDBQ-7

частка акцыі: 120462

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

DMP2200UDW-13

частка акцыі: 108457

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 900mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.2V @ 250µA,

DMN63D1LDW-7

частка акцыі: 176531

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

CSD83325L

частка акцыі: 156131

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.25V @ 250µA,

VMM300-03F

частка акцыі: 404

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 300V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 290A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 145A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 30mA,

VMM650-01F

частка акцыі: 405

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 680A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 500A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 30mA,

UPA1764G-E1-A

частка акцыі: 2982

SI1905BDH-T1-E3

частка акцыі: 3022

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 630mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 542 mOhm @ 580mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

SI4904DY-T1-GE3

частка акцыі: 68499

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

SI4900DY-T1-GE3

частка акцыі: 132105

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

SIA907EDJT-T1-GE3

частка акцыі: 150001

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.4V @ 250µA,

TC6215TG-G

частка акцыі: 66450

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 150V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 1mA,

PHN210,118

частка акцыі: 3099

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.8V @ 1mA,