Транзістары - FET, MOSFET - масівы

SI6968BEDQ-T1-E3

частка акцыі: 118914

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.6V @ 250µA,

SI7904BDN-T1-E3

частка акцыі: 165763

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

SI4948BEY-T1-GE3

частка акцыі: 125231

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

SI4946BEY-T1-E3

частка акцыі: 150097

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

SI4808DY-T1-GE3

частка акцыі: 80857

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 800mV @ 250µA (Min),

SI3951DV-T1-GE3

частка акцыі: 199685

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

FDS6930B

частка акцыі: 174209

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

FDS6990A

частка акцыі: 143253

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

NVMFD5485NLT1G

частка акцыі: 84490

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-W

частка акцыі: 197593

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.3V @ 1mA,

FDMS8090

частка акцыі: 54867

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 250µA,

FDPC8014AS

частка акцыі: 56655

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A, 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

FDMA1028NZ-F021

частка акцыі: 89

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.5V @ 250µA,

NTLUD4C26NTBG

частка акцыі: 107408

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.1V @ 250µA,

NTUD3174NZT5G

частка акцыі: 123413

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 100µA,

FDMD8240LET40

частка акцыі: 53084

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 24A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

NTLJD3119CTBG

частка акцыі: 189185

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.6A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

NTUD3169CZT5G

частка акцыі: 116437

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 220mA, 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

DMN65D8LDWQ-7

частка акцыі: 101082

DMG6968UTS-13

частка акцыі: 187139

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 950mV @ 250µA,

DMC3016LNS-7

частка акцыі: 184096

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A (Ta), 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2V @ 250µA,

DMC3016LSD-13

частка акцыі: 127604

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.2A, 6.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.3V @ 250µA,

HTMN5130SSD-13

частка акцыі: 82476

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

DMG9933USD-13

частка акцыі: 177140

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1.1V @ 250µA,

DMC3026LSD-13

частка акцыі: 205

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.2A (Ta), 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

DMPH6050SSD-13

частка акцыі: 115772

Тып FET: 2 P-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

ZXMC10A816N8TC

частка акцыі: 169825

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.4V @ 250µA,

DMN1250UFEL-7

частка акцыі: 191350

Тып FET: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

ZXMN6A25DN8TA

частка акцыі: 101872

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA (Min),

SP8M5FRATB

частка акцыі: 154

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Ta), 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

SP8M6FRATB

частка акцыі: 153

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

SP8M21FRATB

частка акцыі: 70

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 45V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6A (Ta), 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 1mA,

EPC2105ENGRT

частка акцыі: 13745

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: GaNFET (Gallium Nitride), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 80V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 2.5mA,

STL7DN6LF3

частка акцыі: 117469

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3V @ 250µA,

UPA2660T1R-E2-AX

частка акцыі: 164961

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA2690T1R-E2-AX

частка акцыі: 161730

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 2A, 4.5V,