Транзістары - FET, MOSFET - масівы

Infineon Technologies

AUIRF7343Q

частка акцыі: 2791

Тып FET: N and P-Channel, Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 250µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1115MAL

частка акцыі: 31406

Тып FET: N and P-Channel Complementary, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 1V @ 1µA,

Пажаданні

Advanced Linear Devices Inc.

ALD111933MAL

частка акцыі: 33438

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 3.35V @ 1µA,

Пажаданні

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6810

частка акцыі: 3334

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.5V @ 250µA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM60A23FT1G

частка акцыі: 2807

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 1mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50TDUM65PG

частка акцыі: 3356

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50DUM38TG

частка акцыі: 2789

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50DUM25TG

частка акцыі: 2781

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 149A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 8mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50DUM35TG

частка акцыі: 2820

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 99A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50DUM19G

частка акцыі: 2832

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 163A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 10mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50DUM17G

частка акцыі: 2758

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 180A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 10mA,

Пажаданні

APTM50DSKM65T3G

Microsemi Corporation

APTM50DSKM65T3G

частка акцыі: 3279

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50DHM75TG

частка акцыі: 2739

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50DSK10T3G

частка акцыі: 2805

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 37A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 1mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50DHM65TG

частка акцыі: 3354

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50AM25FTG

частка акцыі: 2755

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 149A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 8mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50AM70FT1G

частка акцыі: 2771

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50A15FT1G

частка акцыі: 2761

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 1mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM50AM19STG

частка акцыі: 2747

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Silicon Carbide (SiC), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 500V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 170A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 85A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 10mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20DUM10TG

частка акцыі: 2803

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20TDUM16PG

частка акцыі: 2825

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20DUM05TG

частка акцыі: 2827

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 333A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 8mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20DHM10G

частка акцыі: 2785

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20DHM16TG

частка акцыі: 2733

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20DHM08G

частка акцыі: 2824

Тып FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM20AM05FTG

частка акцыі: 2762

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 333A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 8mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM120TDU57PG

частка акцыі: 2732

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM120H57FT3G

частка акцыі: 2766

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM120DU29TG

частка акцыі: 2792

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 5mA,

Пажаданні

APTM120DSK57T3G

Microsemi Corporation

APTM120DSK57T3G

частка акцыі: 2791

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM120A80FT1G

частка акцыі: 2744

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

APTM120DDA57T3G

Microsemi Corporation

APTM120DDA57T3G

частка акцыі: 2827

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM120A65FT1G

частка акцыі: 2750

Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 1200V (1.2kV), Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 5V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM10TDUM19PG

частка акцыі: 2820

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 1mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM10TDUM09PG

частка акцыі: 2746

Тып FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 2.5mA,

Пажаданні

Microsemi Corporation

APTM10HM09FTG

частка акцыі: 2809

Тып FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Функцыя FET: Standard, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 4V @ 2.5mA,

Пажаданні

3600

«
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
»