частка акцыі: 2884
Тып FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Функцыя FET: Logic Level Gate, Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 23A, 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар: 2.2V @ 250µA,