Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

HAL1821SF-A

HAL1821SF-A

частка акцыі: 73152

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±1.4mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
HAR2455GP

HAR2455GP

частка акцыі: 34099

Пажаданні
HAL1860UA

HAL1860UA

частка акцыі: 71656

Пажаданні
HAL300 SF-K

HAL300 SF-K

частка акцыі: 97938

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Open Drain, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 24V, Ток - запас (макс.): 7.5mA,

Пажаданні
MLX90333EGO-BCH-000-RE

MLX90333EGO-BCH-000-RE

частка акцыі: 10299

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Analog, PWM, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,

Пажаданні
MLX90333KGO-BCH-100-RE

MLX90333KGO-BCH-100-RE

частка акцыі: 9990

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,

Пажаданні
MLX90393SLW-ABA-013-RE

MLX90393SLW-ABA-013-RE

частка акцыі: 60210

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V,

Пажаданні
MLX90333EDC-BCH-000-RE

MLX90333EDC-BCH-000-RE

частка акцыі: 23628

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Analog, PWM, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,

Пажаданні
MLX90254LVA-BBA-000-SP

MLX90254LVA-BBA-000-SP

частка акцыі: 18528

Тэхналогія: Hall Effect, Тып выхаду: Open Drain, Дыяпазон зандзіравання: 0.5mT Trip, -0.5mT Release, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 24V, Ток - запас (макс.): 12mA,

Пажаданні
TLE4998S3CHAMA1

TLE4998S3CHAMA1

частка акцыі: 20476

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: SENT, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

Пажаданні
TLE4998S8XUMA1

TLE4998S8XUMA1

частка акцыі: 39550

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Open Drain, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT ~ ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

Пажаданні
TLE4998C4HALA1

TLE4998C4HALA1

частка акцыі: 22486

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

Пажаданні
TLE5046ICPWMER100HALA1

TLE5046ICPWMER100HALA1

частка акцыі: 271

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM,

Пажаданні
TLE5009A16E2200XUMA1

TLE5009A16E2200XUMA1

частка акцыі: 36271

Пажаданні
TLE5045ICR100HALA1

TLE5045ICR100HALA1

частка акцыі: 325

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM,

Пажаданні
TLE5046ICPWMR100HALA1

TLE5046ICPWMR100HALA1

частка акцыі: 48675

Пажаданні
TLE5046ICAKERRHALA1

TLE5046ICAKERRHALA1

частка акцыі: 48674

Пажаданні
TLE4926CHTNE6547HAMA1

TLE4926CHTNE6547HAMA1

частка акцыі: 24075

Пажаданні
TLE5046ICPWMR050HALA1

TLE5046ICPWMR050HALA1

частка акцыі: 48696

Пажаданні
TLE4998C3CHAMA1

TLE4998C3CHAMA1

частка акцыі: 19732

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

Пажаданні
TLE4998C8XUMA2

TLE4998C8XUMA2

частка акцыі: 304

Пажаданні
TLE5046ICPWMER050HALA1

TLE5046ICPWMER050HALA1

частка акцыі: 330

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM,

Пажаданні
TLE4998C8DXUMA2

TLE4998C8DXUMA2

частка акцыі: 332

Пажаданні
TLE4998C3XALA1

TLE4998C3XALA1

частка акцыі: 21698

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

Пажаданні
TLE493DA2B6MS2GOTOBO1

TLE493DA2B6MS2GOTOBO1

частка акцыі: 266

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C,

Пажаданні
TLE4926CHTE6547HAMA1

TLE4926CHTE6547HAMA1

частка акцыі: 24808

Тэхналогія: Hall Effect, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні
TLE4997A8XUMA1

TLE4997A8XUMA1

частка акцыі: 33091

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT ~ ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
TLE4998S4HALA1

TLE4998S4HALA1

частка акцыі: 25733

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: SENT, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

Пажаданні
TLE4998P4HALA1

TLE4998P4HALA1

частка акцыі: 27098

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

Пажаданні
TLE4998P3XALA1

TLE4998P3XALA1

частка акцыі: 26773

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

Пажаданні
TLE5046ICAKLRHALA1

TLE5046ICAKLRHALA1

частка акцыі: 48597

Пажаданні
TLE4997A8DXUMA1

TLE4997A8DXUMA1

частка акцыі: 19783

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT ~ ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

Пажаданні
TLE5009A16E1200XUMA1

TLE5009A16E1200XUMA1

частка акцыі: 36279

Пажаданні
TLE5009A16E2210XUMA1

TLE5009A16E2210XUMA1

частка акцыі: 31255

Пажаданні
SI7213-B-00-IV

SI7213-B-00-IV

частка акцыі: 57246

Пажаданні
SI7214-B-00-IV

SI7214-B-00-IV

частка акцыі: 57275

Пажаданні