Магнітныя датчыкі - лінейныя, компас (ІС)

TLE5009A16E1210XUMA1

частка акцыі: 31264

TLE4998S3XALA1

частка акцыі: 25815

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: SENT, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE5045ICR050HALA1

частка акцыі: 287

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM,

TLE4998P3CHAMA1

частка акцыі: 19895

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

TLE4998P8XUMA1

частка акцыі: 39628

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Open Drain, PWM, Дыяпазон зандзіравання: ±50mT ~ ±200mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

MLX90363LGO-ABB-000-SP

частка акцыі: 6055

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15.5mA,

MLX90393SLW-ABA-013-SP

частка акцыі: 25960

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V,

MLX90333KGO-BCT-000-SP

частка акцыі: 6033

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Analog, PWM, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,

MLX90393SLW-ABA-014-SP

частка акцыі: 25899

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V,

MLX90363EDC-ABB-000-SP

частка акцыі: 14862

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15.5mA,

MLX90333LGO-BCH-100-TU

частка акцыі: 5831

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,

MLX90333EGO-BCT-000-SP

частка акцыі: 6329

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Analog, PWM, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,

MLX90290LUA-AAA-510-SP

частка акцыі: 34616

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

MLX90290LUA-AAA-622-SP

частка акцыі: 31373

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

MLX90290LSE-AAA-511-SP

частка акцыі: 31296

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

MLX90393ELW-ABA-014-SP

частка акцыі: 24815

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 4mA,

MLX90393ELW-ABA-011-SP

частка акцыі: 24794

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 4mA,

MLX90393ELW-ABA-013-SP

частка акцыі: 24815

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 4mA,

MLX90290LUA-AAA-500-SP

частка акцыі: 34623

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 8mA,

MLX90288LDC-CAB-000-TU

частка акцыі: 20638

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: 6mT ~ 650mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

MLX90363EGO-ABB-000-SP

частка акцыі: 6493

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: SPI, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 15.5mA,

MLX90393ELW-ABA-012-SP

частка акцыі: 24799

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 4mA,

MLX90393SLW-ABA-012-SP

частка акцыі: 25951

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V,

MLX90393SLW-ABA-011-SP

частка акцыі: 34091

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: I²C, SPI, Напружанне - харчаванне: 2.2V ~ 3.6V,

MLX90333KGO-BCH-000-TU

частка акцыі: 6077

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: X, Y, Z, Тып выхаду: Analog, PWM, Дыяпазон зандзіравання: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 16mA,

SI7212-B-00-IV

частка акцыі: 57253

SI7210-B-02-IV

частка акцыі: 61068

SI7216-B-00-IV

частка акцыі: 57250

SI7210-B-03-IV

частка акцыі: 61094

HMC1051ZL

частка акцыі: 1412

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 20V,

HMC1051Z-RC

частка акцыі: 2642

Тэхналогія: Magnetoresistive, Восі: Single, Тып выхаду: Wheatstone Bridge, Дыяпазон зандзіравання: ±0.6mT, Напружанне - харчаванне: 1.8V ~ 20V,

EQ733L

частка акцыі: 1045

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 12mA,

DRV5055A2QDBZT

частка акцыі: 1698

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±42mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

DRV5056A3QDBZT

частка акцыі: 1609

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±79mT, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 10mA,

DRV5053EAQDBZT

частка акцыі: 114122

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Дыяпазон зандзіравання: ±18mT, Напружанне - харчаванне: 2.7V ~ 38V, Ток - запас (макс.): 3.6mA,

SS49

частка акцыі: 23956

Тэхналогія: Hall Effect, Восі: Single, Тып выхаду: Analog Voltage, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 10V, Ток - запас (макс.): 4mA (Typ),